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题名CCD片上放大器的设计与仿真
被引量:7
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作者
张坤
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机构
重庆光电技术研究所
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第B03期4-8,33,共6页
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文摘
详细讨论了不同片上放大器的设计与仿真;分析比较了影响CCD图像传感器信号输出幅度的因素;给出了仿真结果。
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关键词
CCD图像传感器
片上放大器
仿真
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分类号
TN386.5
[电子电信—物理电子学]
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题名CCD片上放大器直流输出电压影响因素分析
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作者
韩恒利
汪凌
唐利
吕玉冰
廖乃镘
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机构
重庆光电技术研究所
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期935-938,共4页
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文摘
对电荷耦合器件(CCD)片上放大器直流输出电压的主要影响因素进行了研究,通过对不同源漏工艺、不同栅下注入剂量工艺条件对直流输出的影响分析,指出有效沟道长度和放大管栅下注入是CCD片上放大器直流输出电压的主要影响因素。
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关键词
CCD
片上放大器
直流输出电压
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Keywords
CCD image sensor
on-chip amplifier
DC output
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分类号
TN386.5
[电子电信—物理电子学]
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题名面向深空探测的CCD多像元合并设计与验证
被引量:3
- 3
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作者
周博
李春来
李飞飞
王礼庆
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机构
中国科学院上海技术物理研究所
中国科学院大学
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出处
《红外》
CAS
2018年第4期27-32,42,共7页
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文摘
在火星矿物光谱分析仪中采用模拟4像元合并,可以使仪器应对深空探测中的复杂环境,从而达到高信噪比与高动态范围的要求。提出了一种新型CDD片上2×2像元合并的驱动方法,并验证了其输出的合理性。针对e2v CCD 47-20芯片,研究了CCD结构并设计了行方向与列方向2像元合并的方法,使之可以通过FPGA控制生成驱动波形。基于CCD片上放大器的结构,通过仿真其行方向两元输出模拟信号模型,得到了四阶梯模型。均匀光照射实验结果表明,得到的4-binning模式下CCD输出信号与仿真结果一致,验证了理论的正确性。其输出电压在600mV以下范围内表现出了良好的线性变化趋势,证明该方案的合并结果是精确可靠的。
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关键词
电荷耦合器件
像元合并
片上放大器
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Keywords
charge coupled device
pixel binning
on-chip amplifier
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分类号
TN362
[电子电信—物理电子学]
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