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无片上电容的负载瞬态响应增强型LDO 被引量:2
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作者 韩旭 张为 +1 位作者 王金川 刘艳艳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期336-339,共4页
提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器(LDO),通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2V,最大负载电流为... 提出了一种无片上电容的低压差线性稳压器(LDO),通过增加转换速率增强电路,对LDO输出电压的变化进行探测,从而对误差放大器偏置电流进行补偿,达到改善负载瞬态响应的目的。该LDO基于0.18μm CMOS工艺设计,输出电压为1.2V,最大负载电流为100mA。仿真和测试结果表明,该LDO的瞬态负载响应改善明显,具有较好的低功耗特性,在保证电路稳定性的前提下,大大减小了芯片的面积。 展开更多
关键词 片上电容LDO 转换速率增强 低功耗 动态偏置
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用于芯片电容精确测量的在片开路方法研究
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作者 李灏 乔玉娥 +3 位作者 丁晨 丁立强 刘霞美 吴爱华 《计量学报》 CSCD 北大核心 2022年第5期657-661,共5页
为实现芯片电容参数测量过程中的有效开路,提高在片电容测量的准确性及一致性,针对在片电容开路方法开展了研究工作。通过对标准电容器及开路器原理结构进行分析,结合半导体芯片工艺测试实际需求,设计并制作了在片开路器。在完成在片电... 为实现芯片电容参数测量过程中的有效开路,提高在片电容测量的准确性及一致性,针对在片电容开路方法开展了研究工作。通过对标准电容器及开路器原理结构进行分析,结合半导体芯片工艺测试实际需求,设计并制作了在片开路器。在完成在片电容测试系统搭建基础上,分别利用传统悬空开路法和在片开路法对1 pF量值的在片电容进行了测量。实验数据显示,同悬空开路法相比,在片开路法电容测量结果的准确性及一致性有显著提升,测量重复性可达0.01%,为芯片电容计量测试工作提供了有效开路手段。 展开更多
关键词 计量学 片上电容测量 开路器 标准电容 测试
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单片集成直流-直流转换器的效率提高方法
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作者 倪金华 洪志良 刘洋 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期287-291,共5页
采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计实现了开关频率达到250 MHz,单片集成的降压型电源转换器。为了提高电源转换效率,该转换器中的片上电感采用非对称性设计方法,提高了电感的品质因数。采用了高密度片上滤波电容来稳定输出电压,同时对单... 采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计实现了开关频率达到250 MHz,单片集成的降压型电源转换器。为了提高电源转换效率,该转换器中的片上电感采用非对称性设计方法,提高了电感的品质因数。采用了高密度片上滤波电容来稳定输出电压,同时对单位电容尺寸的优化设计减小了电容的等效串联电阻以及输出电压纹波。测试结果表明,芯片输入电压为3.3 V,当输出2.5 V电压时,峰值效率达到了80%,最大输出电流达到270 mA;当输出1.8 V电压时,峰值效率达到了70%,最大输出电流达到400 mA。 展开更多
关键词 集成 直流-直流转换器 片上电感 片上电容
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Design of 2.5GHz Low Phase Noise CMOS LC-VCO 被引量:3
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作者 张海清 章倩苓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1154-1158,共5页
A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of... A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of 1/ f noise.An on chip LC filtering technique is used to lower the high frequency noise.Accumulation varactors are used to widen frequency tuning.The measured tuning range is 23 percent.A single hexadecagon symmetric on chip spiral is used with grounded shield pattern to reduce the chip area and maximize the quality factor.A phase noise of -118dBc/Hz at 1MHz offset is measured.The power dissipation is 4mA at V DD =3 3V. 展开更多
关键词 2.5GHz LC VCO phase noise accumulation varactors on chip spiral inductor
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A 4.8GHz CMOS Fully Integrated LC Balanced Oscillator with Symmetrical Noise Filter Technique and Large Tuning Range
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作者 杨丰林 张钊锋 +1 位作者 李宝骐 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期448-454,共7页
This paper presents a fully integrated 4 8GHz VCO with an invention——symmetrical noise filter technique.This VCO,with relatively low phase noise and large tuning range of 716MHz,is fabricated with the 0 25μm SMIC... This paper presents a fully integrated 4 8GHz VCO with an invention——symmetrical noise filter technique.This VCO,with relatively low phase noise and large tuning range of 716MHz,is fabricated with the 0 25μm SMIC CMOS process.The oscillator consumes 6mA from 2 5V supply.Another conventional VCO is also designed and simulated without symmetrical noise filter on the same process,which also consumes 6mA current and is with the same tuning.Simulation result describes that the first VCO’ phase noise is 6dBc/Hz better than the latter’s at the same offset frequency from 4 8GHz.Measured phase noise at 1MHz away from the carrier in this 4 8GHz VCO with symmetrical noise filter is -123 66dBc/Hz.This design is suitable for the usage in a phase locked loop and other consumer electronics.It is amenable for future technologies and allows easy porting to different CMOS manufacturing process. 展开更多
关键词 VCO symmetrical noise filter radio frequency INDUCTOR switch capacitor
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