压控电流源补偿无片外电容LDO

LDO具有电路简单,高电源抑制比,面积小等优点。但是在节约成本的前提下提高LDO的稳定性始终是一个难题。本文采用的LDO为VCCS补偿方式。这种方式可以有效提高环路稳定性,减小片上电容面积。

片上温漂补偿的压阻式压力芯片的设计与制造

为解决硅压阻式压力芯片灵敏度随着温度变化发生漂移的问题,设计了一种在片上集成温度补偿结构的压力芯片。在压力芯片上制备电阻温度系数(TCR)为负数的多晶硅电阻用于分压,调整不同温度下的惠斯通电桥端电压以达到灵敏度补偿的效果。本文的研究包含理论分析、参数计算,并进行了芯片制备和性能测试。性能测试结果表明,补偿后的耐高温封装传感器芯片在-50℃~270℃区间内,温漂为-0.034%FS/℃,简易封装传感器芯片在-40℃~125℃区间内的温漂为-0.008%FS/℃,该补偿芯片的温漂远小于无补偿的压力芯片。