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RTL综合中FPGA片上RAM工艺映射
被引量:
4
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作者
李艳
张东晓
于芳
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期2660-2667,共8页
RAM(Random-Access-Memory,随机存储器)是FPGA(Field Programmable Gate Arrays)片上最重要的宏单元之一,RTL(Register-Transfer-Level)综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作用.本文针对RTL综合中RAM源描述和目标结构多样化带来...
RAM(Random-Access-Memory,随机存储器)是FPGA(Field Programmable Gate Arrays)片上最重要的宏单元之一,RTL(Register-Transfer-Level)综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作用.本文针对RTL综合中RAM源描述和目标结构多样化带来的技术难题,提出了一种RAM工艺映射方法,即建立工艺无关的RAM统一模型,在模型基础上通过建模、模式匹配、造价计算、绑定四步实现.该方法应用于RTL综合,可以将多种RAM源描述有效地映射到最佳类型和数量的FPGA片上RAM资源.实验数据表明采用该方法实现的RAM工艺映射效果和主流FPGA综合工具——Synplify和XST相当,该模块已经集成在自主开发的RTL综合工具——Hqsyn中并实现商用.
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关键词
现场可编程门阵列
寄存器传输级综合
片上随即存储器
工艺映射
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职称材料
题名
RTL综合中FPGA片上RAM工艺映射
被引量:
4
1
作者
李艳
张东晓
于芳
机构
中国科学院微电子研究所
北京飘石科技有限公司
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期2660-2667,共8页
基金
国家重大专项02专项(No.Y1GZ212002)
文摘
RAM(Random-Access-Memory,随机存储器)是FPGA(Field Programmable Gate Arrays)片上最重要的宏单元之一,RTL(Register-Transfer-Level)综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作用.本文针对RTL综合中RAM源描述和目标结构多样化带来的技术难题,提出了一种RAM工艺映射方法,即建立工艺无关的RAM统一模型,在模型基础上通过建模、模式匹配、造价计算、绑定四步实现.该方法应用于RTL综合,可以将多种RAM源描述有效地映射到最佳类型和数量的FPGA片上RAM资源.实验数据表明采用该方法实现的RAM工艺映射效果和主流FPGA综合工具——Synplify和XST相当,该模块已经集成在自主开发的RTL综合工具——Hqsyn中并实现商用.
关键词
现场可编程门阵列
寄存器传输级综合
片上随即存储器
工艺映射
Keywords
FPGA ( Field Programmable Gate Arrays) i RTL (Register-Transfer-Level) synthesis
on-chip RAM
tech-nology mapping
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
RTL综合中FPGA片上RAM工艺映射
李艳
张东晓
于芳
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
4
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