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RTL综合中FPGA片上RAM工艺映射 被引量:4
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作者 李艳 张东晓 于芳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2660-2667,共8页
RAM(Random-Access-Memory,随机存储器)是FPGA(Field Programmable Gate Arrays)片上最重要的宏单元之一,RTL(Register-Transfer-Level)综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作用.本文针对RTL综合中RAM源描述和目标结构多样化带来... RAM(Random-Access-Memory,随机存储器)是FPGA(Field Programmable Gate Arrays)片上最重要的宏单元之一,RTL(Register-Transfer-Level)综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作用.本文针对RTL综合中RAM源描述和目标结构多样化带来的技术难题,提出了一种RAM工艺映射方法,即建立工艺无关的RAM统一模型,在模型基础上通过建模、模式匹配、造价计算、绑定四步实现.该方法应用于RTL综合,可以将多种RAM源描述有效地映射到最佳类型和数量的FPGA片上RAM资源.实验数据表明采用该方法实现的RAM工艺映射效果和主流FPGA综合工具——Synplify和XST相当,该模块已经集成在自主开发的RTL综合工具——Hqsyn中并实现商用. 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 寄存器传输级综合 片上随即存储器 工艺映射
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