期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应LDO(英文)
1
作者 沈良国 张兴 赵元富 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期35-41,共7页
提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从... 提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从而改善瞬态响应性能。基于该缓冲器的LDO,其相位裕度大于55°,单位增益带宽可达1.7 MHz,在负载电流以50 mA/μs的速度阶跃变化时输出电压变化量小于100 mV。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 右半平面零点 上集成输出电容 系统芯
下载PDF
基于片上肖特基二极管的高功率三倍频器设计 被引量:5
2
作者 毋自贤 郭诚 +7 位作者 温潇竹 宋旭波 梁士雄 顾国栋 张立森 吕元杰 张安学 冯志红 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期647-654,共8页
提出了一种基于片上集成电容工艺和带阻滤波结构的高功率三倍频器设计方法。在倍频器输入端,首先对倍频器二极管的直流偏置馈电部分进行改进,在梁式引线结构基础上结合二氧化硅(SiO_(2))工艺实现了片上集成电容,同时解决了三倍频器的直... 提出了一种基于片上集成电容工艺和带阻滤波结构的高功率三倍频器设计方法。在倍频器输入端,首先对倍频器二极管的直流偏置馈电部分进行改进,在梁式引线结构基础上结合二氧化硅(SiO_(2))工艺实现了片上集成电容,同时解决了三倍频器的直流馈电和射频接地问题,实现电路功能集成的同时也提高了模型仿真精度。此外,在二极管的输入端采用带阻滤波器结构替代传统的低通滤波结构,在保证倍频器性能的同时进一步简化倍频器结构复杂度和尺寸。为进行验证,设计并加工测试了两款中心频率分别为110 GHz和220 GHz的双路功率合成三倍频器。实际测试结果表明,在输入功率500 mW条件下,110 GHz三倍频器的输出峰值功率达到了140 mW,峰值效率接近30%,带宽超过15 GHz;在输入功率300 mW条件下,220 GHz三倍频器的输出峰值功率达到了45 mW,峰值效率达到15%,带宽为15 GHz。两款倍频的测试结果均有优秀表现,验证了设计方法的有效性。 展开更多
关键词 倍频器 片上集成电容 带阻滤波器 波导匹配网络
下载PDF
Design of 2.5GHz Low Phase Noise CMOS LC-VCO 被引量:3
3
作者 张海清 章倩苓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1154-1158,共5页
A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of... A 2 5GHz fully integrated LC VCO is fabricated in a standard single poly 4 metal 0 35μm digital CMOS process,using a complementary cross coupled topology for lowering power dissipation and reducing the effect of 1/ f noise.An on chip LC filtering technique is used to lower the high frequency noise.Accumulation varactors are used to widen frequency tuning.The measured tuning range is 23 percent.A single hexadecagon symmetric on chip spiral is used with grounded shield pattern to reduce the chip area and maximize the quality factor.A phase noise of -118dBc/Hz at 1MHz offset is measured.The power dissipation is 4mA at V DD =3 3V. 展开更多
关键词 2.5GHz LC VCO phase noise accumulation varactors on chip spiral inductor
下载PDF
A 4.8GHz CMOS Fully Integrated LC Balanced Oscillator with Symmetrical Noise Filter Technique and Large Tuning Range
4
作者 杨丰林 张钊锋 +1 位作者 李宝骐 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期448-454,共7页
This paper presents a fully integrated 4 8GHz VCO with an invention——symmetrical noise filter technique.This VCO,with relatively low phase noise and large tuning range of 716MHz,is fabricated with the 0 25μm SMIC... This paper presents a fully integrated 4 8GHz VCO with an invention——symmetrical noise filter technique.This VCO,with relatively low phase noise and large tuning range of 716MHz,is fabricated with the 0 25μm SMIC CMOS process.The oscillator consumes 6mA from 2 5V supply.Another conventional VCO is also designed and simulated without symmetrical noise filter on the same process,which also consumes 6mA current and is with the same tuning.Simulation result describes that the first VCO’ phase noise is 6dBc/Hz better than the latter’s at the same offset frequency from 4 8GHz.Measured phase noise at 1MHz away from the carrier in this 4 8GHz VCO with symmetrical noise filter is -123 66dBc/Hz.This design is suitable for the usage in a phase locked loop and other consumer electronics.It is amenable for future technologies and allows easy porting to different CMOS manufacturing process. 展开更多
关键词 VCO symmetrical noise filter radio frequency INDUCTOR switch capacitor
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部