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GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展
被引量:
2
1
作者
顾鹏飞
郭怀新
+1 位作者
沈国策
韩潇
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期1-7,共7页
GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径。针对上述问题,详细论述了GaN器件热瓶颈的基础...
GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径。针对上述问题,详细论述了GaN器件热瓶颈的基础问题和片内微流热管理的重要性,并对近年来国际正在开展的片内微流散热技术研究情况进行系统分析和评述,揭示了微流体与GaN器件片内近结集成的各类设计方法、工艺开发途径和面临的技术难点,阐述了GaN器件片内微流热管理技术的现状和发展方向。
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关键词
GaN功率器件
热
积累
综述
片内微流散热技术
热
管理
热
流密度
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职称材料
题名
GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展
被引量:
2
1
作者
顾鹏飞
郭怀新
沈国策
韩潇
机构
南京电子器件研究所
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期1-7,共7页
基金
基础加强计划技术领域基金资助项目(2019-JCJQ-JJ-590)。
文摘
GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径。针对上述问题,详细论述了GaN器件热瓶颈的基础问题和片内微流热管理的重要性,并对近年来国际正在开展的片内微流散热技术研究情况进行系统分析和评述,揭示了微流体与GaN器件片内近结集成的各类设计方法、工艺开发途径和面临的技术难点,阐述了GaN器件片内微流热管理技术的现状和发展方向。
关键词
GaN功率器件
热
积累
综述
片内微流散热技术
热
管理
热
流密度
Keywords
GaN power devices
thermal accumulation
review
microchannel cooling technology embedded chip
thermal management
heat flux
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
TB66 [一般工业技术—制冷工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展
顾鹏飞
郭怀新
沈国策
韩潇
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
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职称材料
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