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题名一种高精度片内电阻校准电路设计
被引量:2
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作者
韦雪明
熊晓惠
侯伶俐
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机构
广西无线宽带通信与信号处理重点实验室
成都华微电子科技有限公司
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出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第3期336-340,346,共6页
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基金
广西无线宽带通信与信号处理重点实验室主任基金项目资助(GXKL06190110)
广西高校中青年教师基础能力提升项目(2018KY0197)
广西桂林电子科技大学研究生科研创新项目(2019YCXS017)。
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文摘
设计了一种适用于40Ω~100Ω内调节的高精度片内电阻校准电路,该电路可精确调整因工艺波动产生变化的片内电阻阻值。片内电阻校准电路采用模数混合控制方法,即以片外电阻为基准,采用高精度回滞比较器比较片内和片外电阻转换的电压值,采用自适应控制电路精确调整电阻阵列开关,使得片内电阻的阻值与片外基准电阻的阻值相等。电路基于40nm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,比较器的电压比较阈值最小为2mV,电路实现40Ω~100Ω内电阻阻值可调节,校准误差小于2%。
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关键词
高精度比较器
片内电阻校准
自适应控制方法
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Keywords
high precision comparator
on-chip resistance calibration
adaptive control method
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分类号
TN492
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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