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一种高精度片内电阻校准电路设计 被引量:2
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作者 韦雪明 熊晓惠 侯伶俐 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第3期336-340,346,共6页
设计了一种适用于40Ω~100Ω内调节的高精度片内电阻校准电路,该电路可精确调整因工艺波动产生变化的片内电阻阻值。片内电阻校准电路采用模数混合控制方法,即以片外电阻为基准,采用高精度回滞比较器比较片内和片外电阻转换的电压值,采... 设计了一种适用于40Ω~100Ω内调节的高精度片内电阻校准电路,该电路可精确调整因工艺波动产生变化的片内电阻阻值。片内电阻校准电路采用模数混合控制方法,即以片外电阻为基准,采用高精度回滞比较器比较片内和片外电阻转换的电压值,采用自适应控制电路精确调整电阻阵列开关,使得片内电阻的阻值与片外基准电阻的阻值相等。电路基于40nm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,比较器的电压比较阈值最小为2mV,电路实现40Ω~100Ω内电阻阻值可调节,校准误差小于2%。 展开更多
关键词 高精度比较器 片内电阻校准 自适应控制方法
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