贴片式多层陶瓷电容器简介

贴片式多层陶瓷电容器的英文名字是Surface Mount Multilayer Ceramic Capacitor，通常用缩写符号MLCC或MCC表示（本文以下简称MLCC）。MLCC是陶瓷电容器的一种，由于其具有性能优越、电容量范围宽、品种齐全、尺寸小等优点，得到了广泛的应用。随着便携式电子产品的产量猛增，MLCC应用已经占电容器之冠。很多电路中都用MLCC取代了传统的钽电解电容器或铝电解电容器，不仅减小了PCB板面积，而且大大提高了产品的性能。

片式多层陶瓷电容器生产用叠层设备的研究和开发

随着表面贴装技术(SMT)的发展,对小尺寸、高精度、高质量片式元件的需求越来越大。目前,在国内外电子元件市场上,片式多层陶瓷电容器(MLCC)是片式化率最高、需求量最大的一种新型元器件。文中介绍了MLCC制成前工序的关键设备——叠层设备,从工作原理及总体设计、机械结构、液压及气动系统、电气控制系统等几部分进行了设计和开发,达到了预期效果。

片式多层陶瓷电容器电镀失效分析与控制

为了解决片式多层陶瓷电容器(MLCC)电镀后脱层及溢镀缺陷,研究了除油、浸蚀和电镀的工艺条件对产品脱层及溢镀的影响。结果表明,选取以碳酸钠为主的除油液,在柠檬酸中浸蚀,采用能使镀层产生压应力的氨基磺酸盐镀镍液以及活性不及氰化物镀金的柠檬酸盐镀金液,可有效解决上述问题。

片式多层陶瓷电容器陶瓷晶粒酸腐蚀应用研究

以混合酸作为腐蚀液,腐蚀陶瓷介质层晶粒晶界,再使用扫描电子显微镜进行微观结构观察。试验结果表明,腐蚀液的种类、浓度、腐蚀时间及温度均对腐蚀效果影响较大。最终确定适宜的腐蚀条件为:氢氟酸-硝酸体系,氢氟酸2 mL,硝酸5 mL,配置成100 mL溶液,Class 2(BaTiO_(3))陶瓷室温下腐蚀时间50 s,Class 1((Sr,Ca)(Zr,Ti)O_(3))陶瓷腐蚀15 s。

片式多层陶瓷电容器生产用切割设备的研究与开发

随着表面贴装技术（SMT）的发展，对小尺寸、高精度、高质量片式元件的需求越来越大。目前，在国内外电子元件市场上，片式多层陶瓷电容器（MLCC）是片式化率最高、需求量最大的一种新型元器件。文中介绍了MLCC制成工序中的关键设备之一的切断设备，从工作原理及总体设计、机械结构、电气控制系统等几部分进行了设计和开发，达到了预期效果。

真空镀膜在片式多层陶瓷电容器上的应用

提供了一种采用真空镀膜方式形成片式多层陶瓷电容器外电极的技术,一方面避开开发生产银、镍、铜等端电极浆料技术难题,同时减少对环境的污染,由于端电极是真空镀膜上去的,无须进行烧结,简化生产工艺,能够有效地降低片式多层陶瓷电容器的制造成本,提高产品竞争力。

片式多层陶瓷电容器失效分析

本文通过对片式多层陶瓷电容器失效原因进行模拟、验证,总结出片式多层陶瓷电容器的各种失效机理,并将其失效机理应用于过程排查,从而锁定产生不良的最终原因,进而消除隐患,使电容器正常运行。

零的突破国产片式多层陶瓷电容器叠压机获客户肯定

近日,电科装备所属中国电子科技集团公司第四十五研究所(以下简称“电科装备四十五所”)研制的国内首台片式多层陶瓷电容器(MLCC)叠压机,得到国内最大的MLCC生产厂家的充分肯定。

片式多层陶瓷电容器失效分析

在电子设备中,片式多层陶瓷电容器一种基础电子元件,因其优良性能,在电路设计中得到了广泛的应用;文中从片式多层陶瓷电容器本身问题和外在因素方面,深入阐述了其常见应用失效模式。然后提出了有效的设计方法,以提升片式多层陶瓷电容器的应用可靠性。

片式多层陶瓷电容器全自动薄膜丝印机的研制

针对目前片式多层陶瓷电容器生产工艺的主要特点,提出了一种适用于Roll to Roll制造工艺的全自动薄膜丝印机,并从工作原理及系统构成、丝印原理、薄膜载体的输送运动、干燥原理、电气控制系统等方面进行了研究与开发,达到了实际生产的要求。

008004型多层片式陶瓷电容器制作工艺研究

该文以国产的X7R特性瓷粉、镍内电极浆料及铜外电极浆料为原材料制备了008004尺寸多层片式陶瓷电容器(MLCC)。对高精密微小图形印刷技术、微小尺寸切割技术、圆控技术及其端电极形成技术等关键制备工艺进行了研究。并通过试验发现,采用30°编角的网版进行印刷,电极图案饱满,边缘平直。将弧形单刃刀和热敏性树脂片作为切割垫材,切后008004尺寸胚片直角性和分散性均较好。采用适合的电极宽度/胚片宽度比例,配合立式行星球磨,圆控后008004产品引出效果良好。采用不锈钢板和热剥离胶带进行单面端铜,配合使用适宜的铜浆,芯片外观平整性好。用离心镀机电镀镍、纯锡,最后制得的00800410V X5R 101M成品电性能良好,可靠性高。

多层片式陶瓷电容器容量命中率的研究

多层片式陶瓷电容器 (MLCC)容量命中率低是生产中普遍存在的问题。本文通过微观结构、金属层和介质层厚度、以及工序因素分析 ,探讨了引起MLCC容量分散的主要原因 ,提出了工序中应控制的因素 ,为MLCC生产过程控制、提高容量命中率提供了依据。

多层陶瓷电容器研究现状和发展展望

片式多层陶瓷电容器是新型片式元器件门类的主要品种之一。介绍了多层陶瓷电容器国内外研究现状和发展状况,重点介绍了镍内电极多层陶瓷电容器、高容量多层陶瓷电容器和高压多层陶瓷电容器,同时指出我国多层陶瓷电容器行业存在的问题和发展方向。

片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究

根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。据此提出改进措施。通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右。

镍内电极多层陶瓷电容器的进展

介绍片式多层陶瓷电容器(MLCC)电极贱金属化(BME)涉及的主要技术及Ni内电极MLCC取得的进展。Ni内电极MLCC的可靠性已经达到空气烧结Ag/Pd内电极的水平。Ni内电极MLCC技术的成熟将使MLCC大容量、低成本、小型化取得更大进展并将取代部分Ta和Al电解电容器。

京瓷开发出全球最高Q值的0402尺寸多层陶瓷电容器

京瓷近日宣布，开发出了在高频段拥有全球最高Q值的0402尺寸片式多层陶瓷电容器（MLCC）“CU02系列”。在该公司的鹿儿岛国分工厂正式量产。

京瓷开发出全球最高Q值的0402尺寸多层陶瓷电容器

京瓷近日宣布，开发出了在高频段拥有全球最高Q值的0402尺寸片式多层陶瓷电容器（MLCC）“CU02系列”。在该公司的鹿儿岛国分工厂正式量产。

片式多层三端陶瓷EMI滤波器的研究

利用电容器的阻抗特性,在传统的片式多层陶瓷电容器内部结构基础上进行重新设计,制成了滤波性能更优异的片式多层陶瓷三端EMI滤波器;这种EMI滤波器具有低的等效串联电阻和低的直流电阻。研究表明,等效串联电阻随着有效介质层厚度的降低而降低,直流电阻随着有效介质层数的增加而降低。