水基流延片式ZnO压敏电阻器低温共烧工艺及其性能

用环境扫描电子显微镜(ESEM)、X射线衍射(XRD)和X射线能谱(EDXS)等研究了水基流延片式ZnO压敏电阻器的低温共烧工艺及其对微观结构和电学性能的影响规律。ESEM分析结果表明:当等静压压力为60 MPa时,Ag电极与流延膜生坯界面结合紧密,Ag电极分布连续,900℃共烧时,未出现开裂、分层,两者收缩率接近。EDXS和XRD分析结果表明:900℃共烧时,Ag在片式压敏电阻器中以单质形式存在,流延膜与Ag电极化学兼容性良好,且在共烧界面处未发现有明显的Ag离子扩散。该流延膜可以与Ag电极在900℃时实现低温共烧,用此制备的片式ZnO压敏电阻器具有良好的压敏性能:压敏电压V1mA=6.1 V,非线性系数α=28.1,漏电流IL=0.15μA。