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100mF·V/g钽粉在片式钽电容器上的应用研究
被引量:
7
1
作者
侯宝峰
湛永中
马翠英
《电子工艺技术》
2006年第3期141-144,149,共5页
通过对100 mF.V/g钽粉电性能研究,及对成型、赋能、被膜关键工序进行研究,用此钽粉生产出两种代表规格的钽电容器6.3 V 10μF(S)、10 V 47μF(B),同时确定了钽粉的适用范围为16 V和16 V以下的钽电容器。
关键词
钽
粉
片式钽电客器
赋能
被膜
下载PDF
职称材料
题名
100mF·V/g钽粉在片式钽电容器上的应用研究
被引量:
7
1
作者
侯宝峰
湛永中
马翠英
机构
宁夏星日电子股份有限公司
出处
《电子工艺技术》
2006年第3期141-144,149,共5页
文摘
通过对100 mF.V/g钽粉电性能研究,及对成型、赋能、被膜关键工序进行研究,用此钽粉生产出两种代表规格的钽电容器6.3 V 10μF(S)、10 V 47μF(B),同时确定了钽粉的适用范围为16 V和16 V以下的钽电容器。
关键词
钽
粉
片式钽电客器
赋能
被膜
Keywords
Tantalum powder
Chip tantalum capacitor
Formation ; Manganizing
分类号
TM535.1 [电气工程—电器]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
100mF·V/g钽粉在片式钽电容器上的应用研究
侯宝峰
湛永中
马翠英
《电子工艺技术》
2006
7
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