片式钽电容短路失效故障分析及改进

该文针对片式钽电容在实际生产和使用过程中短路失效故障率过高的问题,从元器件自身故障原理、使用工艺、电路板设计等方面进行深入分析,最终确定钽电容短路失效是钽电容自身缺陷与外界应力综合作用的结果,外界应力主要有焊接温度应力和反向电压冲击。针对以上原因,从钽电容自身质量、工艺、设计等方面进行改进,通过加严筛选、改手工焊、优化回流曲线等具体措施,有效控制了片式钽电容短路失效故障,保证了其可靠性,提高了钽电容使用质量。

面向医疗市场的新型微片式钽电容

无源元件制造商们要为医疗市场提供有效的服务,就必须满足一些特定的要求,对电子元器件来说,头号的要求就是可靠性。然而,随着包括植入式装置在内的医疗电子设备的兴旺发展,对极小型的、专门定制的钽电容的需求也在进一步增长。这些关键应用所考虑的其它因素包括:元件封装设计、工作电源范围和钽器件优异的电容-电压(CV)特性。AVX公司开发出了一种能满足这些医疗设备设计者要求的表面贴装式钽电容器TACmicrochip。这类钽微片式电容在微小化方面取得了重要突破,而且没有降低产品性能。

T520B替代较大片式钽电容和陶瓷电容

将聚合物所具有的低ESR性能扩展用于更小外形尺寸的"B"型(3528-21)器件,可实现更小的占用板面积.其接近1210型片式陶瓷电容器的尺寸也为用小脚印封装产品实现较大的电容量创造了条件.

宇航级片式钽电容器可靠性保证技术研究

随着航天技术的不断发展,针对宇航工程任务的高可靠性、长寿命、特殊环境、不可维修性等特点,军用电子元器件向着了小型化、高性能、高可靠性、高环境适应性的趋势发展。本文针对宇航级片式钽电容器失效率等级达到威布尔(weibull)分布C等级、1.5倍额定电压500小时的加速应力寿命试验等高可靠性技术要求,对片式钽电容器介质层形成工艺进行了技术攻关。进一步探讨介质层形成层机理,运用EVANS公司创建的产品寿命评估模型,通过对介质层形成液、形成电流密度、形成电压、形成温度等形成因素进行正交组合试验设计,将片式钽电容器在85℃、1.5倍额定电压下直流漏电流水平降为攻关前的50%,将85℃、1.5倍额定电压下产品寿命延长一倍,极大地改善了钽电容器的介质层质量,提升了产品的固有可靠性。