008004型多层片式陶瓷电容器制作工艺研究

该文以国产的X7R特性瓷粉、镍内电极浆料及铜外电极浆料为原材料制备了008004尺寸多层片式陶瓷电容器(MLCC)。对高精密微小图形印刷技术、微小尺寸切割技术、圆控技术及其端电极形成技术等关键制备工艺进行了研究。并通过试验发现,采用30°编角的网版进行印刷,电极图案饱满,边缘平直。将弧形单刃刀和热敏性树脂片作为切割垫材,切后008004尺寸胚片直角性和分散性均较好。采用适合的电极宽度/胚片宽度比例,配合立式行星球磨,圆控后008004产品引出效果良好。采用不锈钢板和热剥离胶带进行单面端铜,配合使用适宜的铜浆,芯片外观平整性好。用离心镀机电镀镍、纯锡,最后制得的00800410V X5R 101M成品电性能良好,可靠性高。

单层片式瓷介电容器电镀金工艺

介绍了单层片式瓷介电容器镀金设备的选择和挂具的设计要点。采用中性微氰镀金溶液电镀金,研究了Au^(+)质量浓度对电镀金允许电流密度范围的影响,以及脉冲参数对镀层表面粗糙度的影响。建议在实际生产中控制参数如下:Au^(+)质量浓度约7 g/L,平均电流密度0.3~0.4 A/dm^(2),频率2000 Hz,占空比20%。介绍了镀液的维护要点,以及镀金层的外观、结合力、厚度、键合强度等性能的要求和检测方法。

片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究

根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。据此提出改进措施。通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右。

多层片式陶瓷电容器容量命中率的研究

多层片式陶瓷电容器 (MLCC)容量命中率低是生产中普遍存在的问题。本文通过微观结构、金属层和介质层厚度、以及工序因素分析 ,探讨了引起MLCC容量分散的主要原因 ,提出了工序中应控制的因素 ,为MLCC生产过程控制、提高容量命中率提供了依据。

环氧包封层对高压陶瓷电容器耐电压水平的影响研究

随着高压陶瓷电容器应用范围的不断扩大 ,环氧树脂包封层的质量问题变得越来越突出而日益受到广泛的关注。固化残余应力是高压陶瓷电容器产品耐电压合格率降低的主要原因之一 ,其与电机械力的联合作用造成陶瓷 -环氧界面的劣化。本文就减少残余应力 ,改善高压陶瓷电容器耐电压水平的不同方法进行了深入研究 ,提出了退火、静置和提高填料量以及对包封层增韧等技术手段。

多层片式陶瓷电容器电极浆料研究进展

简单介绍了多层片式陶瓷电容器MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor)的组成、结构及要求。详细阐述了多层陶瓷电容器电极浆料的构成、功能及作用,重点介绍了导电相、玻璃相及有机载体的种类、性能和应用。最后叙述了MLCC电极浆料研究进展和发展趋势。

片式多层陶瓷电容器生产用叠层设备的研究和开发

随着表面贴装技术(SMT)的发展,对小尺寸、高精度、高质量片式元件的需求越来越大。目前,在国内外电子元件市场上,片式多层陶瓷电容器(MLCC)是片式化率最高、需求量最大的一种新型元器件。文中介绍了MLCC制成前工序的关键设备——叠层设备,从工作原理及总体设计、机械结构、液压及气动系统、电气控制系统等几部分进行了设计和开发,达到了预期效果。

贴片式多层陶瓷电容器简介

贴片式多层陶瓷电容器的英文名字是Surface Mount Multilayer Ceramic Capacitor，通常用缩写符号MLCC或MCC表示（本文以下简称MLCC）。MLCC是陶瓷电容器的一种，由于其具有性能优越、电容量范围宽、品种齐全、尺寸小等优点，得到了广泛的应用。随着便携式电子产品的产量猛增，MLCC应用已经占电容器之冠。很多电路中都用MLCC取代了传统的钽电解电容器或铝电解电容器，不仅减小了PCB板面积，而且大大提高了产品的性能。

CCH型片式高压陶瓷电容器

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7%～≤±22%),使用温域宽(-55℃～+125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。

片式多层陶瓷电容器陶瓷晶粒酸腐蚀应用研究

以混合酸作为腐蚀液,腐蚀陶瓷介质层晶粒晶界,再使用扫描电子显微镜进行微观结构观察。试验结果表明,腐蚀液的种类、浓度、腐蚀时间及温度均对腐蚀效果影响较大。最终确定适宜的腐蚀条件为:氢氟酸-硝酸体系,氢氟酸2 mL,硝酸5 mL,配置成100 mL溶液,Class 2(BaTiO_(3))陶瓷室温下腐蚀时间50 s,Class 1((Sr,Ca)(Zr,Ti)O_(3))陶瓷腐蚀15 s。

片式高压多层瓷介电容器最新进展

片式高压多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的研制生产水平已达额定直流电压０．５～２０ｋＶ。额定交流电压２２０～１１００Ｖ，标称电容量范围为：０．５ｐＦ～０．１５μＦ（Ｃ０Ｇ），４７ｐＦ～２．２μＦ（Ｘ７Ｒ）。产品技术标准尚未统一纳入国际标准体系。高压ＭＬ－ＣＣ在Ｖ－Ｃ、ＴＶＣ（温度、偏压、容量关系）、耐电压及电晕等性能和试验方法方面有特殊要求，设计制造技术有独到之处。高压ＭＬＣＣ的包装和使用须严格控制工艺过程。

片式多层陶瓷电容器电镀失效分析与控制

为了解决片式多层陶瓷电容器(MLCC)电镀后脱层及溢镀缺陷,研究了除油、浸蚀和电镀的工艺条件对产品脱层及溢镀的影响。结果表明,选取以碳酸钠为主的除油液,在柠檬酸中浸蚀,采用能使镀层产生压应力的氨基磺酸盐镀镍液以及活性不及氰化物镀金的柠檬酸盐镀金液,可有效解决上述问题。

多层陶瓷电容器研究现状和发展展望

片式多层陶瓷电容器是新型片式元器件门类的主要品种之一。介绍了多层陶瓷电容器国内外研究现状和发展状况,重点介绍了镍内电极多层陶瓷电容器、高容量多层陶瓷电容器和高压多层陶瓷电容器,同时指出我国多层陶瓷电容器行业存在的问题和发展方向。

片式化高压电容器的内电极结构及优化

耐高压片式化多层陶瓷电容器(MLCC)要求其内电极具有特殊的结构以保证产品的可靠性。本文对比了普通MLCC和高压MLCC的内电极结构,用有限元方法对两种ML CC中若干典型位置的电场分布进行了分析,从电学角度对高压MLCC中内电极结构尺寸进行了优化,建立了高压MLCC内电极结构尺寸和所选用陶瓷介质材料的电学性能、MLCC的额定工作电压等参数之间的关系,这对中、高压MLCC的设计和制造具有指导意义。

片式多层陶瓷电容器失效分析

本文通过对片式多层陶瓷电容器失效原因进行模拟、验证,总结出片式多层陶瓷电容器的各种失效机理,并将其失效机理应用于过程排查,从而锁定产生不良的最终原因,进而消除隐患,使电容器正常运行。

单层陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法研究

为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片。研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响。结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的升温速率进行烧结,得到的基片平整度高,制得的单层陶瓷电容器电性能好。

真空镀膜在片式多层陶瓷电容器上的应用

提供了一种采用真空镀膜方式形成片式多层陶瓷电容器外电极的技术,一方面避开开发生产银、镍、铜等端电极浆料技术难题,同时减少对环境的污染,由于端电极是真空镀膜上去的,无须进行烧结,简化生产工艺,能够有效地降低片式多层陶瓷电容器的制造成本,提高产品竞争力。

片式多层陶瓷电容器生产用切割设备的研究与开发

随着表面贴装技术（SMT）的发展，对小尺寸、高精度、高质量片式元件的需求越来越大。目前，在国内外电子元件市场上，片式多层陶瓷电容器（MLCC）是片式化率最高、需求量最大的一种新型元器件。文中介绍了MLCC制成工序中的关键设备之一的切断设备，从工作原理及总体设计、机械结构、电气控制系统等几部分进行了设计和开发，达到了预期效果。