大通流片式ZnO压敏电阻瓷料研制

本文研究Zn-Bi-Sb-Si片式压敏配方体系,通过优化Sb、Si相对摩尔比,提高产品的峰值电流密度.实验结果表明:当瓷料配方中Sb/Si相对摩尔比为1时,产品的峰值电流密度最大,其值可达5061A/cm2,其它电性能参数也能满足使用要求.

受主掺杂对ZnO片式压敏电阻材料性能的影响

研究了一价受主Li^＋对ZnO片式压敏电阻材料的电性能和晶界电参数的影响。材料中添加适量的Li^＋离子，可提高压敏电阻的非线性系数、改进器件的漏电流特性。当Li^＋离子添加量从0增加至300mol／ppm时，晶界势垒高度φB由0.7eV增加为0.87eV，晶粒中载流子浓度ND由2.2×10^23／m^3下降为8.5×10^22／m^3，ZnO的电阻率ρg由1.02Ω·cm增加为1.98Ω·cm。