快闪器件研究

快闪存储器由于其所具有的非挥发电可编程和片擦除特性,在嵌入式应用中有望取代SRAM、DRAM以及磁性存储器,并愈来愈受到重视,产品的市场占有率稳步上升,近10年来发展迅速。随着嵌入式系统和移动设备的发展以及集成电路特征尺寸的进一步缩小,在现有基础上对嵌入式存储器又提出了新的要求,主要有两条:更低的工作电压和更快的擦写速度。为满足这些要求,国际上在快闪存储器单元结构和相应的工艺实现方法上开展了大量的工作。对快闪存储器结构方面的研究进行了综述,以利于国内同行对该领域及快闪存储器的机理和研究方向有一个较全面的了解。