VLSI版图参数提取的分布式并行算法

在用边界元法提取版图参数时，经常会遇到非均匀介质的情况．对这类问题若直接用传统的边界元分区方法求解，处理起来比较麻烦，尤其当非均匀性较严重时，边界元法计算简单方便、速度快的优点会大大削弱．针对这一现象，本文提出了边界元分区问题的分布式并行算法．将它用于一个由三台工作站组成的分布式环境中对ＶＬＳＩ版图参数进行提取，运行时间比传统方法明显减少，证明该算法加快了求解的速度，具有并行、高效的特点，取得了良好的效果．

在Transputer并行加速器上实现并行的版图参数提取

本文叙述ＶＬＳＩＣＡＤ中版图参数提取并行算法在Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行加速器上的实现。参数提取的并行算法是利用图形运算的区域并行性将版图划分为与处理器数目相等的若干区域，然后并行地在各处理器中完成对应区域的版图参数提取，用保持划分区域内图形向量数相等的方法，使各处理器负载均衡，经计算证实，各处理器负载均衡性较好，大大提高了运行速度，Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行加速器具有优良的性能价格比，在其上实现并行的版图参数提取有极大的实用价值。

MEMS CAD软件开发中参数化版图库的研究及实现

这里首先论述了参数化版图库在MEMS集成设计中的重要意义。并基于版图参数化的思想,以L-Edit作为开发平台,进行了参数化版图库的设计开发。通过对动态链接库文件的调用生成版图,并构建了版图库集成平台。

硅衬底上射频无源低通滤波器的设计及版图实现

文章系统地研究了微波无源低通滤波器的设计原理及其设计方法。根据网络综合法,设计出了一个-3dB截止频率为1.2GHz的2阶低通无源滤波器,其器件参数C1、L1、C2分别为2.56pF、13.252nH和2.56pF。采用自行设计的算法,编制了相应的Matlab程序,计算出滤波器的版图结构参数。最后,用ADS软件对该滤波器进行了版图级的模拟验证。结果表明,该微波无源滤波器的散射参数曲线与理想元件所组成的滤波器的散射曲线相吻合,且性能好,能够满足实际应用的需要。

深亚微米GGNMOS器件ESD鲁棒性的优化与模拟

基于单指条栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)在静电放电(ESD)时的物理级建模方法,仿真分析了版图参数和工艺参数对器件ESD鲁棒性的影响。提出了一种可提高器件ESD保护性能的优化设计,即硅化扩散工艺下带有N阱的多指条GGNMOS结构。对单指条器件模型进行修正,得到的多指条模型能预估不同工艺条件下所需的N阱长度,以满足开启电压Vt1小于热击穿电压Vt2的设计规则。由仿真结果可知,对于一个0.35μm工艺下的10指条GGNMOS,通过减小栅极长度(L)、提高衬底掺杂浓度(N_(BC))和漏极掺杂浓度(N_E),以及从修正模型中得到合适的N阱长度,均可以增强器件的ESD鲁棒性。

深亚微米抗辐射加固设计的SPICE仿真验证方法

由于在抗辐射加固设计(RHBD)中采用了环形栅的版图结构,由此引发了直栅SPICE仿真验证方法对RHBD不适用的问题.通过分析深亚微米工艺技术下环形栅结构的特性,建立了环形栅的有效栅宽长比算法,同时构建了环形栅的SPICE仿真模型,并针对抗辐射加固设计提出了如何有效地提取版图参数网表的策略,从而解决了传统SPICE仿真验证对RHBD不适用的问题,通过有效的仿真验证,确保电路性能,提高设计的可靠性.