新型的物理发泡绝缘同轴电缆的制造

由于近来移动通信市场的迅猛发展 ,给物理发泡绝缘射频同轴电缆的生产制造带来了极大机遇。本文主要对大尺寸、高发泡度物理发泡绝缘同轴电缆的制造方法作一论述 ,并提出了一种均衡的思想方法 ,贯穿了生产工艺的设计过程之中。

物理发泡绝缘的现状和发展趋势

本文对比了物理发泡和化学发泡，阐述了物理发泡的主要优点、设备和发展趋势。

新型无线移动通信用物理发泡绝缘同轴射频电缆

介绍了 CMRC公司设计制造的无线移动通信系统用物理发泡绝缘同轴射频电缆。这种电缆具有低损耗、低驻波、良好阻抗稳定性等优良性能。电缆优良的性能足以用于模拟或数字蜂窝状设备 ,以及广播、微波、陆地移动无线电。

氟塑料物理发泡绝缘微同轴电缆的研制

论述了氟塑料——聚全氟乙丙烯(FEP)物理发泡绝缘微同轴电缆的设计依据、结构设计要点、主要材料的性能、制造工艺要点及研制样品的工艺结构和性能。

大规格射频同轴电缆的物理发泡绝缘二次挤塑

介绍大规格射频同轴电缆物理发泡绝缘二次挤塑的优点和挤塑过程的关键工艺参数控制。

大尺寸物理发泡绝缘挤出生产线的设计

为满足当今需求量激增的大尺寸射频同轴电缆、漏泄电缆的生产需要,摆脱大尺寸物理发泡绝缘挤出生产线依赖进口的局面,成功开发了大尺寸物理发泡绝缘挤出生产线,填补了国产设备在该领域的空白。针对大尺寸物理发泡绝缘电缆绝缘生产设备的关键配置及电缆生产中部分重要工艺参数的控制展开了详细分析。

物理发泡皮／泡沫／皮绝缘市内通信电缆（HYPA）的开发

本文介绍我厂试制成功的ＨＹＰＡ型皮／泡沫／皮绝缘全塑市内通信电缆的绝缘芯线结构、原材料选用、生产设备与实测结果，在满足标准要求外，可缩小外径，更适宜于地下旧管道的敷设。

物理发泡同轴电缆周期性不均匀原理及实例分析

物理发泡聚乙烯绝缘是同轴电缆优良的绝缘形式。由挤塑过程所引起的微小的周期性不均匀将产生极大的反射损耗。本文结合实例对此进行了分析。

50Ω物理发泡聚乙烯绝缘皱纹铝管外导体射频同轴电缆的研制

介绍了50Ω物理发泡聚乙烯绝缘皱纹铝管外导体射频同轴电缆的研制,详细分析了电缆的设计过程和工艺控制要点。

聚乙烯绝缘CO_2物理发泡浅析

该文主要论述了在物理发泡射频同轴电缆的生产过程中,CO_2发泡和N_2发泡相比具有提高物理发泡射频同轴电缆绝缘的发泡度,从而降低成本,提高衰减性能的优点,阐述了CO_2注气系统的原理及在生产过程中为避免液态的CO_2汽化形成"干冰"堵塞气管而采取的措施,还论述了CO_2注气压力和流量的计算方法,为生产过程中CO_2流量和压力的稳定控制提供了理论依据,并结合实例进行了进一步分析。

大尺寸高发泡同轴射频电缆绝缘的制造

本文主要对大尺寸、高发泡度物理发泡绝缘同轴电缆 ,绝缘制造中的发泡过程进行详细的分析 ,并对工艺及其设备要求作了简述。

铝管外导体物理发泡射频同轴电缆的研制

铝管外导体物理发泡射频同轴电缆主要用于有线电视系统中作干线、配线传输线。因其技术含量新、制造难度大，我国前些年一直依赖进口。近两年，国内已开始研制开发了该种电缆。本文介绍了该产品的方案设计、技术特征、技术水平及研制开发情况。

新一代有线电视CATV电缆用材料的发展动向

认为有线电视CATV电缆的发展正向第四代物理高发泡PE绝缘材料过渡。介绍了高物理发泡CATV电缆参数的计算公式。指出导电材料开始从纯铜线向铜包钢线、铜包铝线、铝镁合金线的发展,是新一代CATV电缆的革命性转变。

大唐电信科技股份有限公司

1、同轴电缆 同轴电缆车间拥有现今最先进的NEXTROM（瑞士）物理发泡绝缘生产线，美国WATSON公司生产的氩弧焊、轧纹、开槽生产线，NEXTRON护套生产线，生产出的电缆具有：低衰减、低驻波比、高功率容量；良好的弯曲性能；卓越的屏蔽性能和极好的抗腐蚀性。

新型漏泄同轴电缆的性能及制造

漏泄同轴电缆是一种新型馈线,广泛用于电磁波被覆盖的盲区。新型漏泄同轴电缆的研制需要有先进的自动化设备、特殊的测试手段,以及新型材料与结构,使其具备优异电气性能;产品特殊设计可使其适应无线通信的不同工作频段,并解决了场强的离散性和长距离传输的问题。

无缝铝管外导体干线同轴电缆弯曲性能研究

作为有线电视系统的干线电缆由于结构上为铝质外导体,电缆在敷设的空间如果太小,则很难避免因超越电缆能承受的弯曲而受损伤。而为了确保电缆在敷设时不损伤,则要求提供足够的场地来布置电缆,这样的矛盾导致了布线费用较高,成本投入较大。因此,提升电缆耐弯曲性能意义是非常大的。

材料

Y99-61526-215 9912693先进栅极介电材料（含4篇论文）=Session 22:ad-vanced gate dielectrics[会,英]//1998 IEEE Symposiumon VLSI Technology（Digest of Technical Papers）.—215～223（V）本部分含4篇论文。篇名是用于未来 CMOS 工艺的采用 TaO 的叠层栅极介电材料,适用于千兆规模工艺的高健壮性超薄栅极介电材料,采用基于 N2O