用热蒸发法制备CdS纳米带

在外加电场的作用下 ,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带。借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪 (EDX)和透射电镜 (TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析。结果表明 :当外加电场为 4 0 0V ,蒸发温度为 1 1 5 0℃ ,环境压力为 1 5 0torr,气体流量为 5 0SCCM时 ,可制备出平均宽度为 2 5 μm ,厚80nm ,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带。

纳米SnO_2材料形貌对C_2H_5OH气敏特性的研究

利用物理热蒸发法,控制蒸发温度、载流气流量,氧气流量等工艺参数制备SnO2纳米材料。经SEM分析,得到的纳米SnO2形貌分别呈现为团絮状、片条状、细长线状的特征。将其作为基料制成旁热式气敏元件,对C2H5OH蒸汽进行气敏特性测试。结果表明:纳米SnO2的形貌对C2H5OH蒸汽的灵敏特性影响显著,其中形貌为细长线状的灵敏度最高,片条状的次之,团絮状的最低;灵敏度随着无水乙醇蒸汽浓度的增大呈现"∧"型变化;随着测试工作温度的升高气敏度也呈现"∧"型变化趋势。

在外加电场下制备ZnO纳米线

为了有效控制ZnO纳米线的生长,采用物理热蒸发法在外加电场的条件下制备ZnO纳米线.通过在沉积区引入外电场,制备出了定向生长的ZnO纳米线、纳米梳子及纳米锥.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究外加电场对ZnO纳米线生长的影响.与没有外加电场的情况相比,ZnO纳米线的生长方式发生了较大的改变,由一点向空间发散生长转变为沿某一方向定向生长,其平均直径约70 nm,长约12μm.结果表明,外加电场能有效控制半导体纳米线的生长,使其生长更具有方向性.

新形貌二氧化硅材料的制备及光学性质研究

采用物理热蒸发二氧化硅纳米颗粒和三氯化铁催化剂混合粉末的方法,制备了两种新形貌二氧化硅材料,并用扫描电子显微镜、X射线电子能谱和光致发光等手段分别研究了合成材料的结构、组分和光学特质。研究发现,合成的材料的形貌分别为"蘑菇状"和"花朵状",材料垂直于衬底生长,且发射中心波长为510nm稳定的蓝绿光。根据得到的实验结果,分析认为材料的生长机制符合催化剂决定的顶部生长模式,催化剂的不同形貌决定形成了两种不同形貌材料,并通过研究材料生长初期的照片,证明了上述推测的正确性。本研究为合成其它新形貌纳米材料提供了一种新方法。

氧化锌微米棒的微观生长过程

利用物理热蒸发方法在光滑的(111)硅衬底上生长氧化锌微米棒,生长温度为700℃。在硅衬底的不同区域由于生长环境不同,生成物的形貌也不相同。利用扫描电镜图可以很直观地推测出一个完整的氧化锌微米棒生长过程。透射电镜图片显示了纳米棒与微米棒之间完美的外延关系。