用热蒸发法制备CdS纳米带

在外加电场的作用下 ,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带。借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪 (EDX)和透射电镜 (TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析。结果表明 :当外加电场为 4 0 0V ,蒸发温度为 1 1 5 0℃ ,环境压力为 1 5 0torr,气体流量为 5 0SCCM时 ,可制备出平均宽度为 2 5 μm ,厚80nm ,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带。

纳米SnO_2材料形貌对C_2H_5OH气敏特性的研究

利用物理热蒸发法,控制蒸发温度、载流气流量,氧气流量等工艺参数制备SnO2纳米材料。经SEM分析,得到的纳米SnO2形貌分别呈现为团絮状、片条状、细长线状的特征。将其作为基料制成旁热式气敏元件,对C2H5OH蒸汽进行气敏特性测试。结果表明:纳米SnO2的形貌对C2H5OH蒸汽的灵敏特性影响显著,其中形貌为细长线状的灵敏度最高,片条状的次之,团絮状的最低;灵敏度随着无水乙醇蒸汽浓度的增大呈现"∧"型变化;随着测试工作温度的升高气敏度也呈现"∧"型变化趋势。