用热蒸发法制备CdS纳米带

在外加电场的作用下 ,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带。借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪 (EDX)和透射电镜 (TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析。结果表明 :当外加电场为 4 0 0V ,蒸发温度为 1 1 5 0℃ ,环境压力为 1 5 0torr,气体流量为 5 0SCCM时 ,可制备出平均宽度为 2 5 μm ,厚80nm ,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带。

纳米SnO_2材料形貌对C_2H_5OH气敏特性的研究

利用物理热蒸发法,控制蒸发温度、载流气流量,氧气流量等工艺参数制备SnO2纳米材料。经SEM分析,得到的纳米SnO2形貌分别呈现为团絮状、片条状、细长线状的特征。将其作为基料制成旁热式气敏元件,对C2H5OH蒸汽进行气敏特性测试。结果表明:纳米SnO2的形貌对C2H5OH蒸汽的灵敏特性影响显著,其中形貌为细长线状的灵敏度最高,片条状的次之,团絮状的最低;灵敏度随着无水乙醇蒸汽浓度的增大呈现"∧"型变化;随着测试工作温度的升高气敏度也呈现"∧"型变化趋势。

氧化硅包覆铁“壳/核”型纳米复合粒子的制备及其吸波特性研究

采用非平衡物理气相蒸发法在氢气-氩气混合气氛下制备了氧化硅包覆铁“壳/核”型纳米复合粒子.通过X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和能谱分析（EDS）等方法表征了纳米复合粒子的相组分、结构以及颗粒形貌.结果表明,制备的氧化硅包覆铁纳米复合粒子的尺寸在50nm左右,在铁纳米粒子的表面还出现了非晶态的氧化硅纳米棒,长度为150-200nm.利用电磁参数模拟微波吸收特性得出,涂层厚度为1.79mm时,在15.4GHz频率处达到最小反射损耗值为-14.5dB,反射损耗在8-18GHz的频段低于-10dB,且损耗机制为自然共振.

纳米ZnO晶体的制备与表征

采用一种简单的直接物理蒸发法制备了纳米ZnO晶体,该生长过程在无催化剂的条件下于900~1 200℃下进行的。所得产物用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)进行了表征。结果表明所得的产物属于纤锌矿结构的高纯度六方相ZnO,在实验中发现在900 ~1 000℃的条件下容易生成纳米棒,在1 000 ~1 100℃的条件下容易生成纳米线,在1 100 ~1 200℃的条件下容易生成纳米梳。并简单讨论了其生长机理,提出所得纳米结构是通过简单的VS(Vapor-Solid)机制生长的。

纳米金属面面观

纳米金属是指颗粒尺寸处于1～100nm之间的纯金属、金属氧化物或金属合金的粉末材料. 对各种纳米材料的研制与开发源于对纳米金属的研究与应用.