面向21世纪的世界集成电路工业

1958年世界上第一块采用全平面工艺研制的硅集成电路(IC)问世，由此揭开了人类社会进入“硅器”时代的序幕。30多年来IC技术的发展迅猛异常，已经完成了小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的发展阶段．目前正在进入特大规模集成电路(ULSI)时代。表1表示的是被誉为“IC工业技术激励器”的动态随机存储器(DRAM)的发展历程和趋势。

一种0.18μm特大规模芯片快速收敛的设计方法

在0.18μm下,时序收敛的关键是互连线延时问题。文章介绍了一种时序快速收敛的RTL到GDSII的设计方法,该方法有效地消除了逻辑综合和物理设计之间的迭代。采用一个450万门超大规模DSP芯片设计验证了该方法。实例设计结果表明,这种新的方法不但有效地解决了互连线时延的问题,而且缩短了芯片的设计周期。

ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景

综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。

特定应用片上网络的研究综述

特大规模集成电路技术的飞速发展,使得把大量的知识产权(Intellectual Property,IP)核集成到单一的芯片上形成的片上系统成为了今后微电子发展的主流趋势。片上系统面临着许多设计和制造问题,片上网络为解决片上系统的这些问题提供一种行之有效的方案。当前及今后的片上系统都主要面向特定应用或特定应用类,因此,片上网络也是面向特定应用的片上网络,对特定应用片上系统面临的问题、特定片上网络的提出、发展、和主要研究内容进行综述。

常用集成电路的封装类型与拆装方式

自1958年克萨斯仪器公司（TI）的基尔比等人研制发明了世界第一块集成电路以来，电子工业进入了集成电路（IC）的时代。经过40余年的发展，集成电路已经从最初的小规模集成电路（SSI）起步，先后经历了中规模（MSI）、大规模（LSI）、超大规模（VLSI）、巨大规模（ULSI），发展到目前的特大规模集成电路（GSI）和系统芯片（SOC），单个电路芯片集成的元件数也从当时的十几个发展到目前的几百万个甚至几亿个。

ULSI化学机械抛光的研究与展望

随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛光(CMP),近年来发展迅速,应用广泛。文章综述了化学机械抛光技术的发展现状:包括化学机械抛光设备、抛光液、抛光机理模型及应用研究进展;在此基础上,对CMP下一步发展的方向及其应用前景进行了展望。

ULSI硅衬底的化学机械抛光技术

介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺。对抛光机理、影响抛光速率和抛光质量的因素、抛光液中的成份特别是精抛液中的有机碱和活性剂的选择作了讨论分析,另外对抛光中出现的一些问题及解决方法进行了分析研究。

GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析

随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程中表面质量的影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响抛光质量的主要因素,确定了获得较高去除速率和较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数。

美公司增加对华投资

美国的通用电气、电报电话、国际商业机器和杜邦四大公司,都积极准备向中国增加投资,总额约为8.4亿美元。目前,这四家公司正等待中美贸易战平息,以便实施对华的投资。 通用电气公司拟在今后两年里,在中国建立七个新的独资和合资企业。

基于随机扰动的FM算法优化

文章针对特大规模集成电路划分时采用传统FM算法容易陷入局部最优和对初始解敏感的缺点,提出了一种基于概率的随机扰动移动元胞选择的优化算法。它以符合平衡约束的最高增益元胞作为基准点,将一定增益值偏差范围内的元胞同时作为算法可能选取元胞,根据增益值偏差大小赋予元胞一定的被选取概率,随机选择元胞进行移动。采用基于随机扰动的FM优化算法对实际电路进行划分,实验结果表明能降低算法进入局部最优的概率,降低算法对初始解的敏感,在lg=3,r=0.3时平均割线数减少了33.9%,但算法平均运行时间增加了40.5%。

微电子技术——计算机

微电子技术是高新技术的核心和基础。它不仅能推动电子信息技术的发展,而且具有改造一切传统科技产业,使它们焕发青春的力量。 微电子技术的核心是集成电路,又叫微电子芯片。过去的电子技术,是用一个个的电阻、电容、二极管。