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4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
被引量:
5
1
作者
陈刚
柏松
+1 位作者
李哲阳
韩平
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期38-41,共4页
主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc...
主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。
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关键词
碳化硅
欧姆
接触
特征接触电阻率
退火
下载PDF
职称材料
n型4H-SiC欧姆接触特性
2
作者
陈刚
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期273-276,共4页
对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr/4H-SiC的最佳特征接触电阻...
对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr/4H-SiC的最佳特征接触电阻率达到1.24×10-5Ω·cm2,能够很好地满足SiC MESFET器件的需要.
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关键词
SIC
欧姆
接触
特征接触电阻率
MESFET
退火
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
被引量:
5
1
作者
陈刚
柏松
李哲阳
韩平
机构
南京大学物理系
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期38-41,共4页
基金
国家重点基础研究发展规划(2006CB604900)
国家高技术研究发展规划(2006AA03A103
+6 种基金
2006AA03A142)
国家自然科学基金(6039072
60421003
60676057)
高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)
江苏省自然科学基金项目(BK2005210)
单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
文摘
主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。
关键词
碳化硅
欧姆
接触
特征接触电阻率
退火
Keywords
SiC
ohmic contact
specific contact resistivity
annealing
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
n型4H-SiC欧姆接触特性
2
作者
陈刚
机构
南京电子器件研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期273-276,共4页
文摘
对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr/4H-SiC的最佳特征接触电阻率达到1.24×10-5Ω·cm2,能够很好地满足SiC MESFET器件的需要.
关键词
SIC
欧姆
接触
特征接触电阻率
MESFET
退火
分类号
TN304.2+4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC欧姆接触与测试方法研究
陈刚
柏松
李哲阳
韩平
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
下载PDF
职称材料
2
n型4H-SiC欧姆接触特性
陈刚
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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