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C^+离子注入Si单晶形成SiC埋层中Si2p的特征能量损失谱 被引量：3
1
作者 严辉 陈光华 +1 位作者 黄世平 郭伟民 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期876-880,共5页
利用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源产生的Ｃ＋离子，注入单晶Ｓｉ衬底，得到了ＳｉＣ埋层．利用Ｘ射线光电子能谱，研究了ＳｉＣ埋层中Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱．结果表明：Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱依赖于ＳｉＣ埋层... 利用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源产生的Ｃ＋离子，注入单晶Ｓｉ衬底，得到了ＳｉＣ埋层．利用Ｘ射线光电子能谱，研究了ＳｉＣ埋层中Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱．结果表明：Ｓｉ２ｐ的特征能量损失谱依赖于ＳｉＣ埋层中Ｃ原子的浓度分布，并且与ＳｉＣ埋层的有序度对应． 展开更多
关键词 薄膜 埋层 碳离子注入 硅单晶 特征能量损失谱
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