CE3玉兔号月球车APXS特征X射线能谱信息分析

通过对CE3玉兔号月球车粒子激发X射线谱仪(APXS)获取的数据进行处理,获得测点的累积特征X荧光计数率谱线,经小波滤波,消除放射性涨落对X荧光谱线的影响。由能量刻度获得了月球车着陆点月壤元素X射线特征能量峰,由此分析了着陆点月壤元素的成分,得知测量点月壤元素成分包括Si、Ca、Al、Mg、K、P、S、Fe、Ti、Ni、Cr、Mo、Sr、Y、Zr、Nb。研究结果为月陆地质演化提供了有利的参数制约。

强光一号Z箍缩产生keV级特征X射线初步研究

分析了高功率Z箍缩产生keV级特征X射线辐射的物理机理和用于计算等离子体K层辐射二能级模型,给出了采用二能级模型进行数值模拟的结果,描述了强光一号装置驱动Z箍缩负载的脉冲功率源特性参数,介绍了所设计研制的双层喷Ne气和双层铝丝阵两类Z箍缩负载的结构与参数,并对下一步拟开展的实验研究工作进行了说明。利用特制真空X射线二极管测量了强光一号双层喷氖气Z箍缩实验产生的X射线波形,实验结果表明,当气室内初始气压在0.8 MPa时,喷Ne气Z箍缩可获得较好的keV量级的X射线辐射。

透射式特征X射线测厚仪研制

论述了透射式特征X射线测厚原理,并对样机的硬件组成特征X射线发生装置、X射线探测器、数据处理器和监控软件进行了介绍。通过对测厚样机的实验测试,结果显示测量较薄物质时测厚仪反应灵敏,测量精度较高,相对误差在±5%以内,达到设计要求。

透射式特征X射线测厚技术实验研究

介绍了特征X射线的测厚原理、测厚系统组成及数据处理方法,并利用铜和铁的特征X射线对纸张厚度进行了实验研究;当被测量纸张的厚度从7.2mg/cm2到43.2mg/cm2时dm与ln I曲线的相关系数达到0.999以上,测量相对误差在2%以内。

部分种子成分的特征X射线在等效生物材料中衰减的测定

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器实测了Ｎａ、Ｍｇ、Ｓ、Ｃｌ的特征Ｘ射线在有机膜中的相对衰减以及与Ｏ、Ｋ元素的特征Ｘ射线能量相当的Ｘ射线或轫致辐射在有机膜中的相对衰减，分别得出了它们衰减的数学描述，并把实验得到的不同能量的Ｘ射线在有机膜中的质量吸收系数与Ｂｅｒｋｅｌｅｙ的ＯＣＧ软件计算出的结果相比，相差都小于３０％．外延实验数据曲线得到这些特征Ｘ射线在有机膜中衰减到原来的千分之一时的作用范围，并讨论了低能重离了产生生物效应的可能机理。

短波长特征X射线衍射法无损测定孔挤压强化A100钢内部径向残余应力分布

工件表层残余压应力场直接影响其疲劳性能。为研究孔挤压强化试样的内部残余应力状态,利用自主研发的短波长X射线衍射仪,无损地测定了2.4mm厚A100钢孔挤压件板厚中心层的内部径向残余应力场的分布。结果表明:孔挤压强化使工件内部引入了残余压应力,最大压应力位于距孔表面4.6mm处,为-302MPa;残余压应力场深度达30mm左右。

关于特征X射线在γ谱仪低能效率刻度应用中偏差问题的初步探讨

分析了在用天然放射性232Th衰变系的低能X射线进行HPGeγ谱仪的效率刻度时出现系统偏差的原因,并就此对实际应用中应注意的问题进行了探讨。提出了特征X射线的符合相加等效应在低活度γ谱分析中可能会引起的一系列问题以及应采取的措施。

特征X射线激发效率的蒙特卡罗模拟

针对某一特定元素的特征X射线进行探测,激发源能量的选择是重要指标之一。本文利用蒙特卡罗的MCNP4C程序,研究分析不同能量的激发源对铁、铜、银特征X射线激发效率的影响,并与实测数据进行比较,结果符合实际情况,表明能够利用蒙特卡罗模拟设计最佳特征X射线探测系统。

短波长特征X射线衍射的衍射峰赝偏移现象的产生原因及解决措施

利用短波长特征X射线衍射仪对样品进行应力测试,测试样品表面附近的衍射峰时发现,衍射角明显偏离理论衍射角。通过理论和试验对该衍射峰赝偏移的原因进行了分析,并提出了解决措施。结果表明:由于短波长特征X射线波长短、衍射角小,入射准直器和接收准直器形成的规范体积截面为长菱形,当样品未充满规范体积时,导致衍射峰赝偏移,进而造成衍射角测试存在误差,影响应变计算结果的准确性。可通过减小准直器宽度、采用高角度衍射峰、使用对称法、翻转样品及应用理想参考样品等方法降低衍射峰赝偏移对应变计算结果的影响。

多元组份薄膜的特征X射线强度的蒙特卡罗模拟计算方法

作者提出了入射电子在多元组份薄膜中所激发出的薄膜中各种元素的包括初次X射线和二次荧光在内的特征X射线强度的蒙特卡罗模拟计算方法。用这一方法模拟计算了多个薄膜样品的特征X射线强度比 ,得到了与电子探针显微分析仪器测定的实验数据相一致的模拟结果。

光子碰撞Au靶产生L系特征X射线角分布

采用中心能量为13.1 keV(最大能量小于30 keV)的轫致辐射光子碰撞Au靶,在130°—170°的探测角度范围内以10°为间隔,测量了碰撞产生的特征X射线Lι,Lα,Lβ和Lγ1的光谱.根据实验测得的能谱结果,综合考虑探测器的探测效率及靶材的吸收校准后,计算了不同探测角度下特征X射线Lα与LLγ1及Lι与Lγ1的相对强度比;而且,还基于不同探测角度下X射线强度比值,分析了特征X射线的角分布情况.实验结果表明特征X射线Lα和Lι为各向异性发射.此外,计算了特征X射线Li的各向异性参数为0.25,并据此推断出L3支壳层的定向度A20为0.577±0.081;分析认为L3支壳层的定向度A20由该支壳层本身的物理特性决定,但该支壳层的各向异性参数b会受到Coster-Kronig跃迁的影响而发生改变.

杂质元素特征X射线对氢气放电源打靶新谱线的影响

在氢气放电源打靶的实验中,测到了系列能量恒定不变的低能X射线新谱线,这些新谱线的能量分别为(1.70±0.10)keV,(2.25±0.07)keV,(2.56±0.08)keV,(3.25±0.10)keV和(3.62±0.11)keV,与Si,Ta,S,Cl,K和Ca等元素的特征X射线能量相近,但靶中所含的杂质或来自放电室的杂质元素可能会产生这些能量的X射线谱峰,证实新谱线是否由这些元素的特征X射线干扰所致显得尤为重要。分析了本实验系统中各种杂质的可能来源,论证了放电室端杂质对新谱线的影响,及靶材料中体杂质和面杂质对新谱线的影响;用X射线光电子能谱仪对靶做了表面分析。研究结果表明:杂质元素的特征X射线不会对氢气放电源打靶产生的新谱线有影响。这些新谱线的性质有待进一步的实验研究。

蒙特卡罗模拟元素特征X射线注量的展宽技术

蒙特卡罗模拟技术可以有效提高核辐射探测分析效率、降低分析成本，在促进X荧光分析技术发展过程中也发挥了重要作用。在应用蒙特卡罗模拟能量色散X荧光分析中，为使蒙特卡罗模拟元素特征X射线注量谱与实验能谱之间的物理差异更小，提出了一种模拟注量展宽算法。首先依据离散统计物理理论，建立了Si-PIN半导体探测器对X射线的响应函数模型，并利用加权非线性最小二乘法拟合得到各系数，再对系数进行归一化处理，得到归一化后的响应函数R（E，E′）。然后利用R（E，E′）对模拟注量进行展宽转换，得到脉冲幅度谱（pulse height spectrum，PHS），使模拟谱更趋近于实验谱，这样就可以通过蒙特卡罗模拟得到与实测能谱一致性较高的模拟能谱。研究中最后利用建立的探测器响应函数模型对Ti，V，Cr，Mn， Fe，Ni，Cu，Zn，As，Sn元素K系全能峰拟合χ2r 值在1．04～1．18范围内，对铜合金样品中六种元素特征X射线模拟注量转换结果与实验值一致性较好，并实现了对多元素混合样品复杂重迭谱的有效模拟和展宽。

应用于在线测厚的多靶式特征X射线发生装置初步设计

由于设计的需要,利用铜靶、铁靶进行了特征X射线的产额与靶源的距离、靶源夹角关系的实验研究,当靶源距离越近、靶源夹角为70°时产生的特征X最多;在实验基础上设计了射线产额高,体积小、质量轻,靶片转换方便的特征X射线发生装置。

N,O,P,Al,Ca的特征X射线在等效或生物材料中衰减的测定

在同步辐射光源和ｘ光管源上，分别测定了Ｎ、Ｏ，Ａｌ，Ｐ，Ｃａ的Ｘ射线在洋葱内表皮和ｃａｐｔｏｎ膜的衰减情况，拟合Ａｌ，Ｐ，Ｃａ的Ｘ射线穿膜的实验数据点，得到它们衰减的数学描述，拟合得到的质量吸收系数与Ｂｅｒｋｅｌｅｙ的ＯＣＧ程序计算的结果相比相差３０％。

基于C++的特征X射线测厚仪软件设计

介绍了用特征X射线自动测试纸张厚度的计算机测量系统的基本构成、系统功能.并用C++builder设计了软件系统.系统读取硬件传送过来的计数值,应用最小二乘法拟合,计算出物质厚度的变化情况以及进行一系列数据处理等.

金纳米颗粒光电离产生L系特征X射线角分布

测量了由中心能量为13.1 keV的韧致辐射轰击金纳米颗粒所产生的L系特征X射线,探测器在100°到140°范围内,以10°为间隔来进行探测。实验发现特征X射线Lα的各向异性分布,特征X射线Lβ1的各向同性发射。在探测角较小的情况下,无论金纳米颗粒直径为20、30、40 nm还是50 nm,它们的特征X射线Lα和Lβ峰都有明显的肩峰,但是这种现象随着测得的角度的增大而变得不明显。而对于纯金块体靶,它们的Lα和Lβ峰没有明显的肩峰。

特征X射线的量子特性

在论述X射线与特征X射线的产生的基础上,用量子理论分析了连续X射线谱与特征X射线谱产生的机理。结果表明,特征X射线的波长是由阳极靶物质的原子序数决定的;产生特征X射线的条件中必须包含一个临界激发电压。

低能正电子致厚靶特征X射线产额的初步实验研究

通过10~30 keV的正电子轰击纯厚T(i Z=22)靶,采用超薄灵敏层的Si-PIN探测器收集其产生的X射线,通过HPGe探测器收集正电子在靶中湮没产生的511 keV的γ光子计数来计算正电子束流强度,对正电子碰撞厚Ti靶的K壳层特征X射线产额进行了初步测量,并将所得实验数据与基于DWBA(Distorted-Wave Born Approximation)理论的Monte Carlo程序PENELOPE模拟值进行了比较,在所考察的能区范围内两者形状较为一致,但实验值均明显低于理论模拟值,在低能端(≦15 keV)更为显著,从而为今后开展这方面的工作提供了参考。