基于视觉滞留的环场显示系统研究

文中介绍了应用人眼视觉滞留的特性 ,使用复杂可编程逻辑器件CPLD(ComplexPro grammableLogicArray)来设计的一种LED环场显示系统 ,实验证明此方案易实现 ,工作稳定。

井地联合瞬变电磁等效电流环场与纯异常场近似性研究

井地联合瞬变电磁勘查方法将地面和井中装置组合起来,充分利用已有钻孔,兼顾地面面积性测量和沿钻孔深部测量的双重优势,可获取更丰富的矿体信息。为研究瞬变电磁井地联合装置条件下地面和井中瞬变响应特征,这里首先描述了矿体受激发所产生的涡流场的建立与消失过程,根据毕奥-萨伐尔定律可以推导出自由空间中圆形电流环的磁场三分量表达式,根据本征电流等效模拟法可以计算出纯异常场,针对常见的水平板体、垂直板体、倾斜板体三种不同模型,采用商业化软件MAXWELL进行了板体响应模拟计算,分析了电流环场逼近纯异常场的合理性和近似程度,为基于电流环的异常场特征研究和解释方法的推演提供了借鉴。

大型高炉环场平台耐热混凝土负温施工

结构表面系数较大的大型高炉环场平台，普通与耐热砼即使负温施工，选用综合蓄热法是安全、可靠的。通过热工计算与技术经济分析，均可证明这一点。

随阳农场建成环场经济带

随阳农场建成环场经济带在湖北随阳农场经济分布图上。一条由南部的水果基地，东部的水产养殖基地．北部的工业基地，西部的瓜果基地构成的环场经济带十分醒目。建立环场经济带，是随阳农场为充分发挥自身的区位优势，增强经济辐射力而采取的一项重大经营策略。随阳农场工...

1700V IGBT场限环场板终端优化设计

击穿电压是IGBT的一个重要参数,而器件的击穿电压主要与终端结构有关,所以对终端结构的研究一直备受关注。文章设计了一种1 700 V的IGBT终端结构,采用场限环和场板相结合的终端技术,降低了器件表面电场峰值,提高了其击穿电压。通过仿真分析多组不同场板长度和氧化层厚度的终端结构,采用多项式拟合和多元回归分析击穿电压、表面电场分布与每个环上的场板长度和氧化层厚度的关系;在此基础上提前预测器件的击穿电压和表面电场分布,缩短终端设计时间;经过调整后,在366μm的终端上仿真实现了1 927 V的击穿电压,终端效率达到了91.5%。该终端优化设计方法能够优化器件的表面电场分布,有效降低表面电场峰值,并提高终端效率。

HL-3装置环向场线圈热工分析

利用COMSOL Multiphysics软件对HL-3装置环向场线圈(TF)进行了热工水力分析,研究了不同工况下线圈的冷却效率,得到了冷却水的压力、流量及温度分布情况。分析结果表明,TF线圈的冷却时间控制在900s内完全可以满足装置的冷却需求。在140kA和190kA电流的条件下,一次通电周期内线圈的最高温度不会超过80℃,不会对线圈之间的匝间绝缘造成破坏。TF线圈的主要发热集中在中心柱段,在对线圈施加冷却措施下,600s时线圈的温度可以降到较低的范围,900s时可以使线圈得到充分的冷却。线圈内部管道中的冷却水流速控制在2~4m·s^(-1)较为合适,入口压力不宜超过0.45MPa。在必要的情况下,可以将TF线圈的冷却时间减少至600s。

强磁场托卡马克环向场线圈应力缓解研究

针对强磁场托卡马克环向场(TF)线圈应力过大、结构材料难以承受的问题,根据静水应力原理分析了通过外部承压结构来降低TF线圈内腿应力的有效性。采用COMSOL有限元软件开展模拟,研究了液氮冷却强磁场铜导体托卡马克外部承压结构在不同厚度下TF线圈磁体应力的降低程度;对比了铍铜合金和无氧铜作为导体材料所需要的外部承压结构的厚度和体积。

一种沟槽-场限环复合终端结构的设计

为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-场限环复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在场限环的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与场限环左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善了IGBT主结电流丝分布,将一部分电流路径改为纵向流动,改变了碰撞电离路径,在提高主结电势的同时也提高器件终端结构的可靠性;带介质槽的场限环结构进一步缩短了终端长度,其横纵耗尽比为3.79,较传统设计的场限环结构横纵耗尽比减少了1.48%,硅片利用率提高,进而减小芯片面积,节约制造成本。此方法在场限环终端设计中非常有效。

HL-2M环向场线圈的结构设计

设计了HL-2M环向场线圈基本形状、特殊的指形接头和斜面接头以及馈线、绝缘结构和水冷回路。每个环向场线圈由L形中心段、上弧段和外弧段分别通过指形接头和斜面接头组装成完整的D形线圈。分段可拆卸的D形线圈结构可以使得真空室和单个极向场线圈分别整体吊装到环向场线圈内侧。单根引线和双回线的馈线结构既能节省装置空间,又能降低杂散磁场。TF线圈匝间绝缘500V,对地绝缘30k V。采用软焊在线圈旁侧槽内的铜管对线圈进行水冷以带走线圈放电产生的焦耳热。

HL-2M环向场线圈匝间剪切应力分析

介绍了HL-2M环向场线圈的基本结构设计及其承受的电磁载荷,分析了水平预加载、中心柱预应力筒以及环向抗扭支撑对线圈匝间剪切应力的影响。结果表明,水平预加载及预应力筒在中心柱内产生的压应力有利于提高中心柱的抗扭刚度;环向支撑刚度增加可减小线圈的面内剪切应力。在正常运行工况下,环向场线圈的最大匝间剪切应力小于8MPa,其结构设计满足线圈强度要求。对于大破裂瞬态事件,匝间最大剪切应力约12MPa,接近绝缘材料的剪切疲劳极限,建议采取破裂抑制措施避免该情况发生。

HL-2A装置环向场电源系统及其控制

HL-2A环向场电源系统采用400kVA同轴励磁机作为80MVA发电机组励磁的交流电源,两组三相全控整流桥并联为机组励磁线圈供电(主励),另外一组完成励磁机本身的励磁(副励)。发电机两个错30o Y形绕组接二极管整流柜为环向场线圈供电。发电机组经拖动电机加速到1488rpm处放电,由环向场计算机系统通过控制脉冲发电机组的励磁电流调整发电机的输出电压,实现对环向场脉冲电流波形的调节。

200kV/100kA低抖动环轨式多通道场畸变开关

研制了一种200kV/100kA环轨式场畸变开关。对该开关以Ar,N2,SF6及SF6/N2,SF6/Ar混合气为工作介质的耐压及触发性能研究结果表明:该开关耐压最大偏差小于自击穿电击的4%;欠压比大于等于自击穿电击的80%时,抖动极差小于2ns,标准方差抖动小于等于1ns;实现了多通道导通,通道数大于等于3;开关工作范围极大,在欠压比大于等于自击穿电击的20%时抖动极差小于2.85ns。

东营凹陷油气场环对应分布论

东营凹陷油气环带状分布与古生物场、古地温场、古应力场及古水势场的性质、强度存在明显的内在联系，“场环对应理论”可很好地解释并进一步深入认识其内在规律。古生物场决定沉积有机质的性质与丰度；古地温场提供有机质向烃类转化的能量；古水势场及古应力场为烃类运移提供动力和储集空间。因此，“四场”的环状分布控制着油气的环状分布，围绕“四场高势区”的圈闭带寻找油气富集区可作为油气勘探的一条指导原则。

HL-2M装置环向场线圈的工程研制与调试

介绍了HL-2M装置环向场(TF)线圈的工程设计、关键制造工艺及其调试结果。目前,TF线圈最大通电电流达到42kA,对应TF线圈产生的磁场为0.66T,满足HL-2M装置初始放电需求。

HL-2M环向场线圈电磁场和受力的计算分析

在建的HL-2M装置的环向场线圈采用了比特板式结构,介绍了采用封闭多边形电流丝模型计算分析HL-2M装置环向场线圈电磁场和纹波情况;环向场线圈电流与环向场引起的电磁力以及与极向场产生的倾覆力也做了计算。计算结果对环向场线圈的设计具有一定的参考意义。

HL-2M环向场线圈水冷数值模拟与分析

建立了环向场线圈的水冷计算模型,根据热传导和对流换热方程进行了数值模拟分析。计算结果表明:指形接头与铜板的界面接触热阻和接触电阻对指形接头的温升影响较大,但在平顶电流为140k A及其电流平顶7s时,由焦耳热引起的最高温升40℃以下,故环向场线圈的温度均不会超过80℃,且15min后TF线圈温度均降至30℃以下。在平顶电流为190k A时,线圈通电持续时间可根据界面实测接触热阻、接触电阻以及线圈初始温度来确定。

HL-2M装置环向场线圈导体材料的选择和制造

为利于HL-2M真空室(VV)及极向场线圈(PFC)的整体安装,环向场线圈(TFC)采用比特板式结构,这种结构需要用到高强度高导电性能的大尺寸异形铜合金厚板以便满足线圈复杂受力的要求。通过应力分析,确定了在TFC上使用的3种铜合金。介绍了大尺寸异形铜合金板材的制造工艺和铜板多项性能的测试结果,结果表明异形铜合金板材的尺寸及各项性能均满足了HL-2M装置环向场线圈的工程设计及加工要求。

单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化

基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。

单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析

本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效应后，优化单场限环结构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式．分析了表面电荷密度对场限环结构耐压和优化环间距的影响，计算结果与文献中的数值模拟结果相符合。