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环境半导体材料Ca_2Si的电子结构研究
被引量:
3
1
作者
肖清泉
谢泉
+3 位作者
杨吟野
张晋敏
赵凤娟
杨创华
《海南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2008年第2期148-152,共5页
运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对...
运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.
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关键词
环境半导体材料
Ca2Si
电子结构
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职称材料
热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响
被引量:
2
2
作者
罗胜耘
谢泉
+8 位作者
张晋敏
肖清泉
金石声
朱林山
闫万珺
陈坤
罗娇莲
Koji Yamada
Kiyoshi Miyake
《贵州大学学报(自然科学版)》
2006年第1期81-85,共5页
作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
关键词
环境半导体材料
Β-FESI2
IBD
退火温度
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职称材料
一种新型环境半导体材料——β-FeSi_2
被引量:
5
3
作者
罗胜耘
曾正
陆安江
《广西轻工业》
2008年第5期20-21,共2页
文章叙述了β-FeSi2环境半导体材料的晶体和半导体的基本性质:它具有0.80ev~0.89ev的直接带隙,对于红外波长有很高的吸收率;它掺入不同杂质的同时制成P型和N型半导体,避免了由于半导体两只脚材料的热膨胀系数不同而引起的热电元器件制...
文章叙述了β-FeSi2环境半导体材料的晶体和半导体的基本性质:它具有0.80ev~0.89ev的直接带隙,对于红外波长有很高的吸收率;它掺入不同杂质的同时制成P型和N型半导体,避免了由于半导体两只脚材料的热膨胀系数不同而引起的热电元器件制作上的困难。文章还介绍了近些年来国内外的研究现状,同时还指出了存在的问题和研究方向。
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关键词
Β-FESI2
直接带隙
环境半导体材料
半导体
性质
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职称材料
环境友好半导体材料Ca_2Si的研究进展
被引量:
1
4
作者
肖清泉
谢泉
+2 位作者
杨吟野
张晋敏
任雪勇
《山西科技》
2007年第2期106-107,113,共3页
Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当...
Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。
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关键词
环境半导体材料
Ca2Si
晶格特性
光电性质
制备方法
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职称材料
题名
环境半导体材料Ca_2Si的电子结构研究
被引量:
3
1
作者
肖清泉
谢泉
杨吟野
张晋敏
赵凤娟
杨创华
机构
贵州大学电子科学与信息技术学院
出处
《海南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2008年第2期148-152,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60766002)
文摘
运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.
关键词
环境半导体材料
Ca2Si
电子结构
Keywords
secological semiconductor materials
Ca^Si
electronic structure
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响
被引量:
2
2
作者
罗胜耘
谢泉
张晋敏
肖清泉
金石声
朱林山
闫万珺
陈坤
罗娇莲
Koji Yamada
Kiyoshi Miyake
机构
贵州大学计算机科学与工程学院光电子信息功能材料实验室
日本Saitama大学机能材料工学科
出处
《贵州大学学报(自然科学版)》
2006年第1期81-85,共5页
基金
湖南省教育厅青年基金(03B006)
湖南省自然科学基金(04JJ3030)
+2 种基金
国家人事部留学归国人员择优资助项目(200403)
贵州省教育厅重点基金(05JJ002)
贵州大学人才引进基金资助项目(04RCJJ001)
文摘
作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
关键词
环境半导体材料
Β-FESI2
IBD
退火温度
Keywords
Environmental semiconductor material
β-FeSi2
Annealing temperature
IBD
分类号
O472.2 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
一种新型环境半导体材料——β-FeSi_2
被引量:
5
3
作者
罗胜耘
曾正
陆安江
机构
贵州民族学院物理与电子信息科学学院
贵州大学电子科学与信息技术
出处
《广西轻工业》
2008年第5期20-21,共2页
基金
贵州民族学院2007年科研基金资助
文摘
文章叙述了β-FeSi2环境半导体材料的晶体和半导体的基本性质:它具有0.80ev~0.89ev的直接带隙,对于红外波长有很高的吸收率;它掺入不同杂质的同时制成P型和N型半导体,避免了由于半导体两只脚材料的热膨胀系数不同而引起的热电元器件制作上的困难。文章还介绍了近些年来国内外的研究现状,同时还指出了存在的问题和研究方向。
关键词
Β-FESI2
直接带隙
环境半导体材料
半导体
性质
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
环境友好半导体材料Ca_2Si的研究进展
被引量:
1
4
作者
肖清泉
谢泉
杨吟野
张晋敏
任雪勇
机构
贵州大学电子科学与信息技术学院
出处
《山西科技》
2007年第2期106-107,113,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60566001)
贵州大学人才引进基金资助项目(04RCJJ001)
+2 种基金
贵州省留学人员科技基金资助项目[黔人项目(2004)03]
贵州省教育厅重点基金资助项目(05JJ002)
贵州省科技厅国际合作项目[黔科合G(2005)400102]。
文摘
Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。
关键词
环境半导体材料
Ca2Si
晶格特性
光电性质
制备方法
Keywords
ecology - friendly semiconducting materials
Ca2Si
microstmcture
optical and electrical properties
preparation method
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
环境半导体材料Ca_2Si的电子结构研究
肖清泉
谢泉
杨吟野
张晋敏
赵凤娟
杨创华
《海南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2008
3
下载PDF
职称材料
2
热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响
罗胜耘
谢泉
张晋敏
肖清泉
金石声
朱林山
闫万珺
陈坤
罗娇莲
Koji Yamada
Kiyoshi Miyake
《贵州大学学报(自然科学版)》
2006
2
下载PDF
职称材料
3
一种新型环境半导体材料——β-FeSi_2
罗胜耘
曾正
陆安江
《广西轻工业》
2008
5
下载PDF
职称材料
4
环境友好半导体材料Ca_2Si的研究进展
肖清泉
谢泉
杨吟野
张晋敏
任雪勇
《山西科技》
2007
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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