p-InGaN与Ni/Au的欧姆接触特性研究

通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN层的厚度小于某一特定值时,其比接触电阻低于p-GaN与Ni/Au的欧姆比接触电阻,通过分析认为这是由InGaN层的极化效应导致接触势垒降低和载流子隧穿几率增大造成的,但同时受样品表面形貌和InN本身固有的积累电子层的特性影响,当InGaN层的厚度超过这一特定值后其接触特性反而比p-GaN差。

回转式光伏组件封装系统的设计初探

成本和效率是光伏组件生产中需要关注的重点问题,而大面积多腔体的层压机设计方式在提升生产效率的同时也导致了设备占地空间大、维修难度大。针对以上问题,文章基于原有光伏组件封装工艺,从优化产线布局出发提出了一种以移动层压固化方式代替现有定点式层压机的组件封装系统,在工作台传输移动过程中实现组件的上料和封装过程,缩短了组件加工时间,可以有效提高组件的生产效率,减少设备占地面积。

Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用

为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层。定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金属层厚度,Ni和Au的厚度分别为3 nm和5 nm。在400℃、空气氛围下退火1 min时,获得了低的比接触电阻率,薄膜方块电阻为102Ω/,采用环形传输线法测量的比接触电阻率为6.1×10-4Ω·cm2。薄膜的透过率在478 nm时达到了77.3%。使用该薄膜制备的LED,开启电压为2.5 V,在工作电流为20 mA时的工作电压为2.9 V,证实了所制备的Ni/Au薄膜可用于制备LED的透明导电层。