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功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述
1
作者
罗萍
吴昱操
+3 位作者
范佳航
张致远
冯皆凯
赵忠
《微电子学》
CAS
北大核心
2023年第6期957-964,共8页
总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时...
总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时,阐述了现有环栅MOS器件等效W/L的建模情况,提出保角变换是环栅MOS器件等效W/L精确建模的重要方法,最后还给出了环栅器件建库的基本流程。
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关键词
总剂量辐射加固
环栅mos器件
环
栅
功率
mos
等效W/L建模
环
栅
器件
建库
下载PDF
职称材料
题名
功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述
1
作者
罗萍
吴昱操
范佳航
张致远
冯皆凯
赵忠
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室
电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2023年第6期957-964,共8页
基金
重庆市自然科学基金资助项目(CSTB2023NSCQMSX0153)
文摘
总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时,阐述了现有环栅MOS器件等效W/L的建模情况,提出保角变换是环栅MOS器件等效W/L精确建模的重要方法,最后还给出了环栅器件建库的基本流程。
关键词
总剂量辐射加固
环栅mos器件
环
栅
功率
mos
等效W/L建模
环
栅
器件
建库
Keywords
total ionizing dose radiation-hardened
enclosed layout
mos
device
enclosed layout power
mos
equivalent W/L modeling
building library of enclosed layout device
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述
罗萍
吴昱操
范佳航
张致远
冯皆凯
赵忠
《微电子学》
CAS
北大核心
2023
0
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