Sn在Cu(111)上欠电位沉积的现场STM研究

本文用现场扫描隧道显微镜 (in situSTM)研究Sn在Cu( 1 1 1 )上的欠电位沉积 (underpotentialdepositionUPD)过程。实验结果表明 ,Sn原子在Cu( 1 1 1 )表面上的UPD首先在晶面的边缘处发生 ,随后向晶面的其余地方发展并取代吸附在表面的SO2 -4 ,这一过程伴随着显著的台阶轮廓的变化。在Sn的UPD层溶出过程中 ,台阶边缘形状发生了更剧烈的变化 ,并且观察到凹洞的出现 ,表明Sn与Cu( 1 1 1 )

现场STM针尖诱导Ag(111)表面局域刻蚀

本文报道用现场扫描隧道显微镜技术 (in situSTM)研究Ag( 1 1 1 )电极表面局域刻蚀。实验表明 ,STM针尖可以诱导有Iˉ特性吸附的Ag( 1 1 1 )电极在其电化学稳定区发生表面局域刻蚀 ,刻蚀的发生与程度与针尖电位、样品电位及偏压等因素有紧密关系 ,刻蚀速度在偏压最小时达最大。