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Co/Cu/Co结构中纳米氮化物界面掺杂研究
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作者 黄达 王辉 +1 位作者 赵遵成 夏宇兴 《东北师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期62-66,共5页
研究了纳米氮化物(NNL)界面掺杂对Co/Cu/Co磁电阻的影响.当NNL在下界面(Co/Cu)掺杂时,得到了反常磁电阻为-0.043%;当NNL在上界面(Cu/Co)掺杂时,磁电阻近似为0;当NNL同时在上、下界面掺杂时,得到的反常磁电阻为-0.005%.运用Camley-Barna... 研究了纳米氮化物(NNL)界面掺杂对Co/Cu/Co磁电阻的影响.当NNL在下界面(Co/Cu)掺杂时,得到了反常磁电阻为-0.043%;当NNL在上界面(Cu/Co)掺杂时,磁电阻近似为0;当NNL同时在上、下界面掺杂时,得到的反常磁电阻为-0.005%.运用Camley-Barnas的玻尔兹曼半经典理论模型,通过调整界面参数计算其磁电阻,发现改变界面自旋相关散射系数能对实验结果给出合理解释,证明了NNL掺杂确实能改变界面自旋相关散射系数. 展开更多
关键词 磁电阻 NNL 玻尔兹曼半经典理论
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