玻璃助剂对厚膜NTC热敏电阻器的性能影响

系统研究了Mn Co Ni系厚膜NTC热敏电阻器的电阻性能与玻璃助剂质量分数的关系,结果表明:当玻璃助剂质量分数为(10～30)×10-2时,电阻性能参数(RT,ρT,B和αT)随玻璃助剂质量分数的增加而显著增长;当玻璃助剂质量分数继续增加,则电阻性能参数基本不变。但当玻璃助剂质量分数为5×10-2时,厚膜电阻因烧结性能变差而导致电阻性能不稳定,同时,电阻性能参数均异常增大。当玻璃助剂质量分数为30×10-2以上时,采用本工艺制备的厚膜NTC热敏电阻器具有良好的工艺性和热稳定性。

BaO-B_2O_3-SiO_2玻璃助剂中SiO_2对低温烧结PTCR陶瓷性能的影响

研究了氧化钡-氧化硼-氧化硅(BaO-B2O3-SiO2)玻璃助剂对Y掺杂BaTiO3陶瓷微观结构和PTCR特性的影响。微观结构分析表明,玻璃助剂中SiO2的含量能改变晶界相组成,影响样品的烧结特性和室温电阻率。实验结果表明,当含有5%SiO2(摩尔分数)的BaO-B2O3-SiO2玻璃助剂的添加量为3%(质量分数)时,在1050℃保温3h烧结的样品的室温电阻率为210Ω.cm,升阻比为3.5个数量级。

BaO-B_2O_3-SiO_2玻璃助剂对ZST陶瓷烧结和性能的影响

研究了BaO-B_2O_3-SiO_2玻璃助剂对TiO_2/Zn_2SiO_4(ZST)复合陶瓷的烧结特性和微波介电性能的影响。BaO-B_2O_3-SiO_2玻璃助剂在烧结过程中能形成液相,有效地将ZST复合陶瓷的烧结温度从1340℃降低至970℃。随助剂用量的增加,Zn2SiO_4陶瓷的介电常数(ε_r)略有提高,品质因数与频率的乘积(Q×f)下降,频率温度系数(τ_f)无明显变化。添加8%(质量分数,下同)BaO-B_2O_3-SiO_2玻璃助剂和一定质量比的TiO_2(m(TiO_2):m(Zn_2SiO_4)=11:89)的ZST复合陶瓷在970℃保温4h,具有较好的微波介电性能:ε_r=8.70,Q×f=21280GHz,τ_f=-9×10^(-6)/℃。

掺杂玻璃助剂的Ba_5Nb_4O_(15)陶瓷烧结特性及介电性能

引入玻璃烧结助剂,采用液相烧结手段制备了低温烧结Ba5Nb4O15微波介质陶瓷。采用X射线衍射和扫描电子显微技术分析了陶瓷的物相组成和微观形貌。研究表明:陶瓷主晶相为Ba5Nb4O15,铋硅酸盐玻璃在陶瓷中以液相形式存在,促使陶瓷烧结温度从1300℃降至1100℃。添加4 wt.%铋硅酸盐玻璃的Ba5Nb4O15陶瓷在1100℃烧结,具有良好的微波性能:相对介电常数εr=39.01,品质因子Q×f=12214GHz。

BaTiO_3热敏电阻的低温烧结特性研究

为了得到低烧结温度、较低室温电阻率的BaTiO3基半导体陶瓷,提出在BaO-B2O3-SiO2-MnO烧结助剂中加入LiF的方法,研究了BaO-B2O3-SiO2-MnO-LiF(BBSML)烧结助剂对Y3+与Nb5+双掺杂BaTiO3基热敏陶瓷的微观结构和正温度系数(PTC)特性的影响。微观结构分析表明:玻璃助剂中LiF的含量能改变晶界相组成,影响样品的烧结特性和室温电阻率。实验结果表明,x(LiF)=5%的BBSML烧结助剂的样品,在1 050℃保温1 h下烧结后,其室温电阻率为151Ω.cm,升阻比为5.6×103。

化学和能源等工业中的气体脱硫净化

论述了气体脱硫净化技术在化工和能源工业的应用;介绍了国内外脱硫剂的分类及使用情况。针对高温煤气热脱硫过程中脱硫剂粉化的难题,提出了采用玻璃体助剂"囚禁"活性组分的脱硫设计新理论;对烟气脱硫提出了半焦SO2脱硫新技术。