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电子封装技术的最新进展
被引量:
20
1
作者
傅岳鹏
谭凯
田民波
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期113-118,共6页
现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1 nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步。概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展。并对SiP三维封装...
现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1 nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步。概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展。并对SiP三维封装技术中封装叠层FFCSP技术进行了着重的阐述。指出随着低温焊接、连接部树脂补强以及与Si热膨胀系数相近基板的出现,电子封装构造的精细化才能成为可能,为各种高密度封装、三维封装打下坚实基础。
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关键词
系统
封装
玻璃板上封装
挠性载带包覆芯片级
封装
低温焊接
下载PDF
职称材料
题名
电子封装技术的最新进展
被引量:
20
1
作者
傅岳鹏
谭凯
田民波
机构
清华大学材料科学与工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期113-118,共6页
文摘
现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1 nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步。概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展。并对SiP三维封装技术中封装叠层FFCSP技术进行了着重的阐述。指出随着低温焊接、连接部树脂补强以及与Si热膨胀系数相近基板的出现,电子封装构造的精细化才能成为可能,为各种高密度封装、三维封装打下坚实基础。
关键词
系统
封装
玻璃板上封装
挠性载带包覆芯片级
封装
低温焊接
Keywords
SiP
COG
FFCSP
low-temperature soldering
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子封装技术的最新进展
傅岳鹏
谭凯
田民波
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
20
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