CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能

采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比S=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论.

CoCrPt/Cr Ti玻璃盘基硬盘记录介质的制备与性能

采用射频磁控溅射方法制备了CoCrPt/CrTi玻璃盘基高密度硬盘薄膜记录介质 ,讨论并分析了溅射气体的气压、基片温度、底层和磁性层组分对高密度硬盘记录介质性能的影响 ,给出了介质的底层、磁记录层的最佳组分和溅射中最佳工艺参数范围 .其最佳组分、结构与工艺参数为 :Co68Cr17Pt15/Cr85Ti15双层膜结构 ,氩气压为 0 .5 6～ 0 .6 0Pa ,在 5 5 0℃纯N2 保护下保温 1h后在炉内自然冷却至室温 .实验结果表明采用优化工艺条件 ,并经过退火处理后可以得到适于巨磁电阻磁头读写的高密度硬盘记录介质 .

CoCrPtNb/CrTi/C多层膜记录介质的制备和性能研究

采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并采用多层膜结构(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass制备玻璃盘基硬盘。实验结果表明:采用适宜厚度的籽晶层与合适组分的底层和磁性层的多层膜结构,即使在室温下溅射,此种薄膜磁记录介质也可得到高达260kA/m的矫顽力;在550℃高温下,经过30min真空退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值386kA/m,适用于高密度磁记录。同时,也详细分析了磁性层和底层组分、籽晶层厚度以及真空退火对磁记录介质磁性能和微结构的影响。

钡铁氧体磁记录材料发展概况

钡(Ba)铁氧体磁粉和介质,是作为实现垂直磁记录方式、且适于批量生产的涂布型磁记录介质而开发的。围绕Ba铁氧体磁粉、Ba铁氧体磁带和Ba铁氧体软磁盘的应用,回顾了Ba铁氧体记录材料的技术开发史。玻璃晶化法制作的Ba铁氧体粒子,其特征是粒度分布好,并可通过Co-Ti置换量的选择,将矫顽力精确地控制在应用系统所需要的最佳值。4MB FD/FDD、Hi-8 VTR等虽已商品化,却未发展到普及的程度。最近,开发了更加微粒化的Ba铁氧体材料。其记录特性具有数百kFPI的潜在可能性。但应注意的是,微粒化的同时也带来了磁化的稳定性问题。根据有关评价,结论认为最适宜的粒径为 30 nm左右。