玻璃釉成膜工艺的改进

针对厚膜混合集成电路在高强度温度应力下出现成膜基板上元器件锡焊区附近导电带断裂现象，通过分析认为是材料膨胀系数不同及锡焊熔融导电带膜层所致，根据失效机理对玻璃釉成膜工艺进行了改进，在后续的工艺流片中锡焊区附近导电带未再次出现断裂现象，保证了厚膜混合集成电路质量和良品率。