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雨介质中球形导体对电磁波的散射
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作者 李应乐 武生会 《咸阳师范学院学报》 2002年第6期15-18,共4页
研究了雨介质中导体目标对电磁波的散射特性;当入射波沿垂直方向极化时,得出 了毫米波段散射场的表达式,导出了目标的微分散射截面,结果表明:微分散射截面总体上随雨 强的增加和频率的升高而减小,具有后向散射增强效应;共极化微分散射... 研究了雨介质中导体目标对电磁波的散射特性;当入射波沿垂直方向极化时,得出 了毫米波段散射场的表达式,导出了目标的微分散射截面,结果表明:微分散射截面总体上随雨 强的增加和频率的升高而减小,具有后向散射增强效应;共极化微分散射截面与交叉极化微分散 射截面的比值随降雨率的增大而增大。 展开更多
关键词 雨介质 球形导体 电磁波 散射特性 毫米波 降雨率 微分散射截面 散射场
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组装低成本可升降球形导体
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作者 韩独石 《物理教学探讨(中学教学教研版)》 2007年第12期60-61,共2页
本文介绍了利用废旧材料和现有仪器零件组装制作低成本可升降球形导体的方法。
关键词 组装 可升降 球形导体
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匀强电场中球形导体静电感应规律定量讨论
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作者 解树青 《滨州师专学报》 2003年第2期45-47,共3页
将球形导体置于匀强电场中,在球形导体表面将感应出电荷,这些电荷产生的电场使导体外周围空间的电势和场强重新分布,现将在对其进行定量研究的基础上,进而导出球形导体表面上感应电荷的分布规律及电荷量.
关键词 匀强电场 球形导体 静电感应规律 电势分布 场强分布 电荷分布 感应电荷 电荷量
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分层球形导体中任意位置直流电流元产生电位的解析解 被引量:8
4
作者 肖春燕 雷银照 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期1950-1957,共8页
建立了任意层球形导体头模型 .从泊松方程出发 ,利用电磁边界条件求解了分层球形导体中由任意位置直流电流元产生电位的一般解析解 ,并且给出了一种以矩阵形式表示的快速求解电位表达式中相关系数的方法 .以表示头皮、颅骨、脑脊液和脑... 建立了任意层球形导体头模型 .从泊松方程出发 ,利用电磁边界条件求解了分层球形导体中由任意位置直流电流元产生电位的一般解析解 ,并且给出了一种以矩阵形式表示的快速求解电位表达式中相关系数的方法 .以表示头皮、颅骨、脑脊液和脑的四层球导体模型为例 ,对解析解进行了计算 .结果表明 ,此解在除源点外的全域内收敛 ,且比仅用球谐函数展开形式的电位收敛快 ,计算量明显降低 .给出了等位线图和流线图 ,表明低电导率对电位分布和电流流向的影响不可忽视 .还给出了球表面电位分布特征 ,这有利于脑电逆问题的研究以及对脑电位测量结果的解释 . 展开更多
关键词 分层球形导体 直流电流元 电位表达式 脑电
原文传递
对球形尖端导体表面附近静电场的研究 被引量:2
5
作者 兰明建 李旭 《重庆工商大学学报(自然科学版)》 2004年第3期305-308,共4页
尖端导体表面附近的静电场分析,是研究静电平衡时导体表面电荷分布与其表面曲率关系的重要手段。求解球形尖端导体表面附近的静电场,发现这种导体表面附近的电场、导体上的电荷分布规律与理想尖端或锥形尖端相比较,电场强度和电荷密度... 尖端导体表面附近的静电场分析,是研究静电平衡时导体表面电荷分布与其表面曲率关系的重要手段。求解球形尖端导体表面附近的静电场,发现这种导体表面附近的电场、导体上的电荷分布规律与理想尖端或锥形尖端相比较,电场强度和电荷密度均小得多,它们的分布随相关参数的变化而更快。 展开更多
关键词 球形尖端导体 静电场 电荷分布 曲率 电场强度
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球形半导体技术
6
作者 王兴 胡明 +1 位作者 马家志 曾建平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期24-28,共5页
介绍了球形半导体技术的产生、发展、现状以及前景,分析了这项新技术与传统平面集成电路技术的区别,简要讨论了它在MEMS、医学这两个方向上的应用实例。球形半导体技术的核心思想是在直径1mm的单晶硅小球上制作集成电路和其他器件。这... 介绍了球形半导体技术的产生、发展、现状以及前景,分析了这项新技术与传统平面集成电路技术的区别,简要讨论了它在MEMS、医学这两个方向上的应用实例。球形半导体技术的核心思想是在直径1mm的单晶硅小球上制作集成电路和其他器件。这项新技术中包括单晶硅球制作、无接触工艺、球形光刻、3DVLSI设计和VLSI堆积五项关键技术。 展开更多
关键词 球形导体 无接触工艺 球形光刻 堆积
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两球形带电导体周围的静电场
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作者 顾国锋 《广西物理》 2001年第4期26-28,共3页
运用重复电象法讨论两球形带电导体周围的静电场 ,导出其电势及导体表面电荷面密度 。
关键词 静电场 球形带电导体 重复电象法 电势 电荷面密度 电容
原文传递
Investigation of Dynamical Parameters of Exciton Confined in CdS Spherical Quantum Dots with a B—Spline Technique 被引量:10
8
作者 HUIPing SHITing-Yun 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2003年第3期341-344,共4页
Exciton energies as a function of radii of quantum dots in the range of 5–35 ? are calculated based on effective mass approximation model with the B-spline technique and compared with experimental and other theoretic... Exciton energies as a function of radii of quantum dots in the range of 5–35 ? are calculated based on effective mass approximation model with the B-spline technique and compared with experimental and other theoretical data for the CdS dots. This method leads to accurate and fast convergent exciton energy, which are in good agreement with experimental data in the whole confinement regime. The effect of penetration of wave function from the inside to the outside of the dots and the effect of dielectric constants are taken into account. The magnitudes of dynamical parameters are discussed. It is found that the different materials surrounding the CdS quantum dot affect not only the potential energy and Coulomb interaction energy of the system, but also the effective masses. The comparison shows that the effective mass approximation model can describe very well the quantum size effects observed experimentally on the exciton ground state energy. 展开更多
关键词 exciton energies quantum dots B-spline technique quantum size effects
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片形芯片行将寿终正寝
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作者 穆阳 《中国科教创新导刊》 1999年第2期21-21,共1页
关键词 芯片制造商 片形 处理器 生产线 二维设计软件 球形导体 芯片生产 计算机 二极管 亚微米技术
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对“探究影响电荷间相互作用力的因素”演示实验的一点建议 被引量:2
10
作者 居津 《物理教师》 北大核心 2015年第2期48-49,共2页
"探究影响电荷间相互作用力的因素"演示实验有着重要的作用.但这个演示实验的成功率很低,究竟哪些因素会影响这个实验的成功率呢?在没有良好器材的条件下能演示好这个实验吗?本文将做详细分析。
关键词 球形导体 静电摆
原文传递
关于屏蔽内电场的教学研究 被引量:1
11
作者 田双 《中学物理教学参考》 2023年第10期11-13,共3页
静电屏蔽主要分为屏蔽外电场和屏蔽内电场两种情况,其中屏蔽内电场可以有效防止内部强电场设备对外界的影响。在对空腔球形导体屏蔽内电场的探究中,猜测空腔球形导体内外表面感应电荷量Q1、92与球心处点电荷Q的电荷量相同;通过高斯定理... 静电屏蔽主要分为屏蔽外电场和屏蔽内电场两种情况,其中屏蔽内电场可以有效防止内部强电场设备对外界的影响。在对空腔球形导体屏蔽内电场的探究中,猜测空腔球形导体内外表面感应电荷量Q1、92与球心处点电荷Q的电荷量相同;通过高斯定理的证明验证猜想,并发现空腔球形导体腔内外部电场强度均可看作由球心处点电荷Q产生的。 展开更多
关键词 静电屏蔽 点电荷 空腔球形导体 高斯定理
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