激光器阵列的非本征理想因子

研究了激光器阵列的电导数表征方法,建立了激光器阵列的等效电路模型,导出了理想情况下阵列的电导数公式.理论、PSPICE仿真和实验结果表明:一致性良好的阵列的非本征理想因子等于每个阵列单元的非本征理想因子,该结论可用于对阵列单元非本征理想因子检测与阵列可靠性研究.导致单元本征理想因子变大,电流泄漏的可靠性问题均可导致阵列非本征理想因子变大.

条宽对半导体激光器理想因子测量结果的影响

利用ORCAD计算机辅助电路分析软件分别对窄条和宽条激光二极管(LD)的理想因子进行仿真.仿真和实验结果均表明,侧向电流扩展导致窄条LD的实测理想因子较大,而宽条LD电流限制能力的改善导致实测理想因子较小,且更接近于本征理想因子值.

基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估

提出了用理想因子n作为表征,对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象,进行了3组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,分析了随试验时间的增加双极晶体管样品的性能参数退化的原因。通过设定失效判据,利用晶体管样品在小电流情况下PN结的理想因子的退化趋势外推出双极晶体管的贮存寿命,并与通过反向漏电流的退化趋势预测得到的贮存寿命结果进行了对比。结果证明,晶体管PN结的理想因子退化也可以作为晶体管贮存寿命的一种表征,从而对晶体管的贮存可靠性进行评估。

基于Matlab的基极电流理想因子提取方法研究

采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法。利用该方法分析了多晶硅发射极双极器件在正向大电流激励下的电参数退化过程中不同理想因子基极电流的变化情况,分析了导致各电流分量变化的物理机制。该理想因子提取方法普遍适用于各类双极型器件。

大功率LED寿命的理想因子表征

提出了用理想因子n评价大功率LED可靠性的新方法。通过对大功率LEDI-V曲线的拟合计算出理想因子n的数值,对大功率LED进行电流加速老化试验,用最小二乘法算法将ln-t关系拟合成一条直线从而测得大功率LED的寿命,并据此讨论了大功率LED的理想因子与其寿命的关系。实验结果证明,理想因子n可以用于评价大功率LED的可靠性。

一种计算太阳电池反向饱和电流密度和理想因子的新方法

介绍一种计算太阳电池的反向饱和电流密度J0和理想因子n的新的实验方法。该方法以二极管模型为基础,通过改变光强作为变量,测量电池的J-V曲线。通过对不同光强下的J-V测试进行综合分析,对不同条件下电流密度Jsc与开路电压Voc的变化趋势进行拟合,得出J0和n的计算结果,同时对不同工作温度下的J0和n进行推广。数据分析表明,该方法与传统暗特性方法相比,可很大程度上减小电阻对两者带来的影响,且得到的结果更具有参考价值。

2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究

展示了一种低阈值(~131 A/cm^2)2μm InGaSb/AlGaAsSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)激光器,并对该激光器的理想因子n进行了研究。激光器的总体理想因子n由中央pn结的理想因子n和n型GaSb衬底与n型金属之间形成的整流结的理想因子n两部分组成。当温度从20℃升高到80℃时,激光器的总体理想因子n从4.0降低至3.3。该结果与所使用的理论模型以及独立的GaSb材料整流结(pn结、GaSb/金属结等)理想因子n的数值是相吻合的。

基于OE概念格的理想因子分解

文中主要研究如何用OE概念格作为因子分析中的理想因子,从而产生形式背景上基于OE概念格的理想因子分解,获得理想因子概念。定义了基于OE概念格的因子分解,基于OE概念格的理想因子分解以及(理想)因子,讨论了因子的存在性、最优性,并对强制性因子进行了研究。通过因子分解可以减少OE概念的个数,便于进行数据分析研究。

Si衬底GaN基LED理想因子的研究

首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。

GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究

理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象.针对目前报道的Ga N基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12V,19 V,51 V和80 V Ga N基高压发光二极管的理想因子与其结构中串联晶粒个数的关系,分析了理想因子大小与光谱半高宽(FWHM)的变化关系.另外,还对电流拥挤效应对理想因子的影响进行了分析.结果表明:高压发光二极管理想因子n随串联晶粒个数的增加几乎为线性规律增加,高压发光二极管理想因子n是由其串联单元理想因子之和构成的.这对Ga N基高压发光二极管理想因子的研究具有参考价值.

^(60)Coγ射线对高铝组分Al_(0.5)Ga_(0.5)N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响

采用60Coγ射线源对高铝组分Al0.5Ga0.5N盲紫外p-i-n结构光探测器和Si基可见光p-i-n结构探测器进行了累计剂量分别为0.1,1,10Mrad(Si)总剂量辐照实验.实验发现,随着辐照剂量的增加,AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器的理想因子显著增大,辐照后理想因子n>2;而Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子随辐照剂量的变化并不明显.AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器理想因子的退化可能主要是因为欧姆接触性能的退化,Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子的变化则可能是由于敏感层的退化.

封装过程中LED芯片理想因子的实验研究

基于发光二极管(LED)参数的非接触检测的方法研究,测试研究了封装过程中LED的理想因子。探讨了影响LED理想因子的因素,测试了光致发光(PL)条件下不同LED的理想因子,对比了封装缺陷对于理想因子的影响。实验表明,结温与载流子注入强度是LED理想因子的关键因素,LED封装过程中的缺陷对理想因子具有显著影响,并且可以通过PL实现LED封装缺陷的非接触检测。

一种新的学术期刊评价方法——因子理想解法

针对因子分析和主成分分析在期刊评价中存在的问题,提出了一种新的学术期刊评价方法——因子理想解法,其原理是,首先采用因子分析筛选出关键因子,然后确定各关键因子的权重,在此基础上将关键因子标准化后采用加权TOPSIS进行评价。研究结果表明,因子理想解法能消除指标间的相关性导致的重复计算问题,具有较好的区分度,权重设置比较合理,距离函数采用直线距离也更加科学,可以在期刊评价中广泛进行运用。

左零因子理想几乎满足链的条件的Ⅰ—环

文献[1]曾证明有限1—环为 Boolean 环,文献[2]证明了:(1)左理想满足降键条件的1—环为 Boolean 环,(2)左理想满足降链条件的有1的环,如除1外每一个元素为左零因子或右零因子,则此环为 Boolean 环,在这篇文章里,我们将这些结果推广到左零因子理想几乎满足链(升,降链)条件的1—环上。

Clifford代数Cl_(0,3)的张量积分解与零因子理想

给出Clifford代数Cl_(0.3)的张量积分解,利用其张量积因子的性质展开讨论,得到Cl_(0.3)的所有非平凡零因子理想。

基于因子理想解法的陕西省低碳经济发展研究

以陕西省10市2008—2014年的数据为样本,从五个维度出发建立指标体系,运用因子理想解法对各市低碳经济发展水平进行评价,并对各市变异系数进行收敛性检验。结果表明:近年来,陕西省低碳经济发展水平正在逐年提高但整体得分不高;在低碳产出维度各市均呈现增长趋势并存在明显收敛;在发展结构维度各市波动较大且无明显收敛;低碳环境和碳汇建设维度除个别市有增长外,其他市变化不大,同时各市之间的差异一直较大;低碳能源维度各市各年变化不大但各市之间有明显差异;根据各市低碳经济发展水平将陕西省10市分为四类,其中7市属于中高碳经济市和高碳经济市,没有低碳经济市。

因子幂零环

讨论了因子幂零理想为幂零理想的若干充分条件和因子幂零环的若干性质，给出了具有局部左因子极小条件的半单环的结构．

基于一条Ⅰ-Ⅴ曲线提取硅太阳电池参数的一种新方法

依据硅太阳电池的短路电流I_(sc),开路电压V_(oc),最大功率点电流I_(mp),最大功率点电压V_(mp)等特性参数,结合电流方程在最大功率点处的极值表述,建立求解3个电性参数的封闭方程组,解出硅太阳电池的3个待定参数从而确定出硅太阳电池的电流方程。拟合的曲线与实验数据相比。结果证明了文中所提方法的正确性和可行性。

InGaAs线列探测器的I-V特性研究

采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声,但对器件的响应率影响不大。计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多。实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义。

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究

对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温下其理想因子远大于2，并且随着温度的下降而升高；而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN／GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约，外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度，导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。