2μm InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器理想因子的研究

展示了一种低阈值(~131 A/cm^2)2μm InGaSb/AlGaAsSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)激光器,并对该激光器的理想因子n进行了研究。激光器的总体理想因子n由中央pn结的理想因子n和n型GaSb衬底与n型金属之间形成的整流结的理想因子n两部分组成。当温度从20℃升高到80℃时,激光器的总体理想因子n从4.0降低至3.3。该结果与所使用的理论模型以及独立的GaSb材料整流结(pn结、GaSb/金属结等)理想因子n的数值是相吻合的。

一种计算太阳电池反向饱和电流密度和理想因子的新方法

介绍一种计算太阳电池的反向饱和电流密度J0和理想因子n的新的实验方法。该方法以二极管模型为基础,通过改变光强作为变量,测量电池的J-V曲线。通过对不同光强下的J-V测试进行综合分析,对不同条件下电流密度Jsc与开路电压Voc的变化趋势进行拟合,得出J0和n的计算结果,同时对不同工作温度下的J0和n进行推广。数据分析表明,该方法与传统暗特性方法相比,可很大程度上减小电阻对两者带来的影响,且得到的结果更具有参考价值。