多层瓷介电容器手工焊接质量提升

手工焊接后的多层瓷介电容器在温度循环试验过程中发生烧毁故障,故障原因为焊接过程中热应力较大导致器件本体生成裂纹。设计手工焊接试验,并经验证得出结论:在手工焊接过程中,通过降低手工焊接温度,增加焊接前印制电路板(PCB)的预热,可以避免器件本体产生裂纹;在产品设计阶段,避免选用较大尺寸封装,为PCB设计非接地焊盘,可以提高手工焊接的工艺窗口,从而提升多层瓷介电容器手工焊接质量。

多层瓷介电容器的声学扫描检查分析

阐述声学扫描检查(SAM)瓷介电容器内部缺陷的可行性,探讨多层瓷介电容器声学扫描检查研究目的及价值。介绍多层瓷介电容器内部空洞、分层及裂纹等缺陷的检测方法,并对结果进行验证。

电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响

用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的介电性能的影响。镀镍后，ＭＬＣＣ的电容量略有提高，损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后，ＭＬＣＣ的电容量下降幅度较大，损耗增大，并且随着温度的升高而迅速增加，从而导致电容量变大，进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将ＭＬＣＣ置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡，发现镀锡液较镀镍液对ＭＬＣＣ有更强的渗入能力和侵蚀能力。

化学镀非晶态Ni-P合金在瓷介电容器上的应用

１前言电子元器件表面金属化均采用传统的镀银工艺，这种工艺不但要消耗大量的电能，特别要耗用价格昂贵的银，这势必导致原料成本成倍提高。另外由于在电场作用下，银离子从阳极向阴极迁移［１］，最后沉积在阴极上，这种阳离子的迁移现象，将引起严重的后果。首先是随着...

Cr,Li,W等添加物对瓷介电容瓷料性能的影响(英文)

研究了Cr_2O_3,Li_2CO_3,WO_3对于0.09(Sr_(0.54)Pb_(0.26)Ca_(0.20))TiO_(3-0.1)Bi_2O_3·3.5TiO_2为系统的中高压瓷介电容瓷料的介电性能的影响,实验发现掺加Cr_2O_3对于该瓷料的ε-t曲线有压峰作用;而Li_2CO_3的掺加有提升ε-t峰作用,介电常数随着掺加量的增加而提高,损耗在45℃以下随掺加量的增加而提高;WO_3的添加也具有提峰作用,并且同时可以降低高温段ε的温度系数。

航天多层瓷介电容器产品型谱管理研究

随着我国航天事业的不断发展,中国运载火箭技术研究院承研承制的航天型号数量不断增多,研制周期越来越短,对物资质量的要求越来越高。为集中优势资源,推进"二次创业和市场化转型",中国运载火箭技术研究院物流中心开展了航天型号产品化工作。元器件作为型号电子产品的基础单元,其规范化的型谱管理是航天型号产品化工作顺利开展的基础保障。笔者以航天多层瓷介电容器为研究对象,根据现阶段产品特点和型号需求研究产品型谱,并实现工程推广应用。

柔性端电极多层瓷介电容器失效模式分析与改进措施

柔性端电极多层陶瓷电容器(Flexible Termination Multilayer Ceramic Capacitors,FTMLCCs)在典型三层端电极基础上,引入由树脂和导电填充物构成的柔性电极层,在不增加电容尺寸或削减容量的前提下,降低瓷体开裂风险。但FTMLCC引入柔性层结构,降低瓷体开裂风险的同时也可能引入新的失效风险。选取两种1812尺寸FTMLCC产品为研究对象,利用扫描电子显微镜、聚焦离子束剖切与三维重构等技术进行了柔性层物理结构和结合界面特性的详细表征。通过装联、抗弯曲与环境试验评价的方法,对柔性电极结构、柔性层相关缺陷和失效模式进行了深入研究。研究表明,柔性端电极虽增强了MLCC抗弯性,但柔性层内空洞或弱层间结合力可能诱发电极内开裂或界面剥离等新失效模式,造成容量下降。因此,生产或使用FTMLCC产品时,需提升柔性层耐焊性,控制装联条件,并适当除湿,以保护瓷体,提升其装联可靠性。

高性能SrTiO_3基高压瓷介电容器材料

研究了在SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系中分别添加CaTiO3和MgTiO3对材料介电性能的影响,利用复合添加MgTiO3、CaTiO3、MnO2、Nb2O5、SiO2对SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系介质材料进行改性,制得εr=1500～2000耐压Eb≥12 MV/m、损耗tgδ≤6×104的高压瓷介电容器材料。

电极银浆银粉特性对瓷介电容器性能的影响

采用不同粒径和比表面积的银粉制备了电容器电极银浆,研究了在高温烧结条件下银粉的物理化学参数对BaTiO4瓷介电容器电容量与电容损耗的影响。利用比表面积测试仪(SSAA),激光粒度仪(LPSA),场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征分析了样品比表面积、粒度和形貌,并进行了电容测试。结果表明,在830℃的烧结温度下选用高比表面积(7.7m^2/g)的类球型超细银粉,其制成的银浆在烧结后形成的银膜最致密,且表面最平整,选用此银浆烧结电极的电容器平均电容为9.17nF,电容损耗为0.68%。表明选用更高比表面积银粉的银浆,烧结成的银电极更加致密,电容器的性能更优。

高压脉冲功率多层瓷介电容器外部应力对可靠性影响分析研究

随着高压脉冲功率多层瓷介电容器广泛应用于军民领域,产品失效问题也日益凸显。本文主要针对外部应力对脉冲功率多层瓷介电容器可靠性影响及改善措施开展研究工作,解决脉冲功率多层瓷介电容器在使用过程由于处理不当造成受损进而影响可靠性的问题,提高产品的可靠性。

多层瓷介电容器失效模式和机理

系统介绍了开路、短路和电参数漂移这三种主要的MLCC失效模式,以及介质层内空洞和电极结瘤、介质层分层、热应力和机械应力引起介质层裂纹、其他微观机理等五种主要的失效机理。针对MLCC的失效分析技术,从生产工艺和使用设计上提出了预防MLCC失效的措施。

交流瓷介电容器的生产工艺对击穿电压的影响

击穿破坏电压是交流瓷介电容器最主要的技术参数,也是最难解决的技术难题。通过不同工艺的对比实验,具体研究了产品电极结构、引线焊接工艺、包封层固化工艺和环氧树脂包封工艺对交流瓷介电容器击穿电压的影响,据此优化了生产工艺,使得系列交流瓷介电容器耐压达到了较高的水平,Y1产品交流击穿电压达7.8kV以上,Y2产品交流击穿电压达6.0kV以上。

宇航用Ⅱ类瓷介电容器应用要求及可靠性分析

介绍了宇航用Ⅱ类瓷介电容器的特点、可靠性表征、典型应用情况,指出航天选型、电装、使用以及贮存和运输的应用要求,分析了典型失效模式、失效现象以及应用注意事项,供设计师参考。

废独石瓷介电容器中银的提取

生产独石瓷介电容器的工厂通常有相当量的废品。独石瓷介电容器由贵金属银、稀有金属铌和有价值的金属铋的氧化物组成。上述元素比它们在矿物中的含量更富集。因为没有成熟的回收和利用这些元素的方法,这类废品过去是被废弃的。本文提出了用稀硝酸提取粉碎的电容器废品,提取液经蒸发后在适宜的温度下热解的方法从上述废品中回收银,制得了纯度为99.1％的硝酸银,其收率为96.4％,经重结晶再纯化后,纯度可达99.5％。

冲击条件下多层瓷介电容器容值测试方法研究

针对目前的电容测试方法采样率低且不适用于冲击条件下的电容动态测量问题,提出了一种基于RC充放电原理的电容动态测试方法,设计了多层瓷介电容器在冲击条件下的动态测试方案并进行实验。结果表明:该多层瓷介电容动态测试方法能有效测量高冲击下电容器容值的动态变化过程,具有采样率高、测量精确等特点,为开展冲击环境下的多层瓷介电容器的失效研究及防护提供了技术支撑。

多层片式瓷介电容基板弯曲强度的失效研究

结合空调设备用多层片式瓷介电容器的售后数据,通过对售后失效的片状电容内部结构进行金相观察,分析对比发现:主要失效原因为机械应力导致端电极产生裂纹。经过对来料、生产、运输等环节进行排查,结果表明:多层片式瓷介电容器的主要失效原因是PCB板在安装和运输过程中过度弯曲,导致电容器受到过大机械应力失效。故摸底不同材质、封装、容值的片状电容极限基板弯曲强度,为硬件设计提供相应的数值参考,提高产品的可靠性设计。

基于失效模式的多层瓷介电容器通用规范解读

通用规范规定了一类产品的共性通用要求,特别是针对考核检验项目要求、条件和方法等给出了一类产品的基线要求。本文重点针对多层瓷介电容器通用规范中考核检验项目的设置进行研究,从产品失效模式入手,分析项目设置的原理。为通用规范的合理有效实施,为新产品开展通用规范的设计提供指导和参考。

成型压力对瓷介电容器性能的影响

通过实验探讨了在干压成型时,不同的成型压力、加压方式和加压时间对瓷介电容器性能的影响。

多层片式瓷介电容器标准中几个问题的讨论

对制定、修定多层片式瓷介电容器有关标准过程中和使用过程中发现的一些问题，诸如：片式元件的尺寸、性能参数和性能试验等１０个问题进行讨论。

DCF型交流圆片瓷介电容器

通过对陶瓷介质、导体浆料、包封料等材料的选择，以及陶瓷介质厚度、被银瓷片留边量的设计，采用干压成型法成型，控制生坯密度为３．６２～３．９０ｇ／ｃｍ３，研制成功了额定电压为ＡＣ２５０Ｖ、ＡＣ４００Ｖ的ＤＣＦ型交流瓷介电容器。该产品已取得ＣＣＥＥ、ＵＬ、ＶＤＥ和ＣＳＡ安全认证。