目的在不同瓷面处理技术单独或联合使用,并用发光二极管进行光照的条件下,对陶瓷托槽的抗剪切强度进行比较。方法将30个表面光滑的瓷面随机分为3组,每组10个。每组瓷面处理如下:第1组:9.6%氢氟酸酸蚀2 m in,涂布硅烷偶联剂;第2组:氧化...目的在不同瓷面处理技术单独或联合使用,并用发光二极管进行光照的条件下,对陶瓷托槽的抗剪切强度进行比较。方法将30个表面光滑的瓷面随机分为3组,每组10个。每组瓷面处理如下:第1组:9.6%氢氟酸酸蚀2 m in,涂布硅烷偶联剂;第2组:氧化铝颗粒喷砂,9.6%氢氟酸酸蚀2 m in,涂布硅烷偶联剂;第3组:氧化铝颗粒喷砂,涂布硅烷偶联剂,用光固化树脂粘接剂将陶瓷托槽粘接于瓷面上,分别测量抗剪切强度。结果方差分析表明组间存在显著差异(P<0.001)。第3组的抗剪切强度最低(5.35±1.28,P<0.001)。第1组(11.10±1.45)和第2组(10.38±1.09;P>0.05)之间没有明显差别。结论应用氢氟酸和硅烷偶联剂处理瓷表面可获得最大的抗剪切强度。在应用氢氟酸和硅烷偶联剂之前喷砂没有增加粘接强度。展开更多
文摘目的在不同瓷面处理技术单独或联合使用,并用发光二极管进行光照的条件下,对陶瓷托槽的抗剪切强度进行比较。方法将30个表面光滑的瓷面随机分为3组,每组10个。每组瓷面处理如下:第1组:9.6%氢氟酸酸蚀2 m in,涂布硅烷偶联剂;第2组:氧化铝颗粒喷砂,9.6%氢氟酸酸蚀2 m in,涂布硅烷偶联剂;第3组:氧化铝颗粒喷砂,涂布硅烷偶联剂,用光固化树脂粘接剂将陶瓷托槽粘接于瓷面上,分别测量抗剪切强度。结果方差分析表明组间存在显著差异(P<0.001)。第3组的抗剪切强度最低(5.35±1.28,P<0.001)。第1组(11.10±1.45)和第2组(10.38±1.09;P>0.05)之间没有明显差别。结论应用氢氟酸和硅烷偶联剂处理瓷表面可获得最大的抗剪切强度。在应用氢氟酸和硅烷偶联剂之前喷砂没有增加粘接强度。
