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不同粉料粒度对硅钼棒抗弯强度的影响 被引量:2
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作者 范文捷 刘芳 《中原工学院学报》 CAS 2012年第4期34-37,共4页
研究了不同烧成气氛(氧化气氛、H2)、MoSi2粉体的纯度、粒度对硅钼棒表面成膜性能和抗弯强度的影响.研究结果表明:硅钼棒在氧化气氛中烧结时,在生膜的初级阶段,随着生膜时间的延长,样品的抗弯强度逐渐升高,到一定时间后,抗弯强度就逐渐... 研究了不同烧成气氛(氧化气氛、H2)、MoSi2粉体的纯度、粒度对硅钼棒表面成膜性能和抗弯强度的影响.研究结果表明:硅钼棒在氧化气氛中烧结时,在生膜的初级阶段,随着生膜时间的延长,样品的抗弯强度逐渐升高,到一定时间后,抗弯强度就逐渐稳定下来;生膜温度越高,产品达到抗弯强度稳定值所需的时间越短,对不同的烧成气氛、MoSi2粒度,生膜对抗弯强度的影响亦不相同,MoSi2粉体粒度越细,生膜后所达到的抗弯强度也越高. 展开更多
关键词 硅钼棒 粒度 抗弯强度 生膜参数
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Uniformity of Electrical Parameters on MCT Epitaxy Film
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作者 NIELin-ru MENGQing-lan LINan 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2004年第2期93-96,共4页
For Hall measurement under different magnetic fields at LN2 temperature,Hg1-xCdxTe (MCT) film (radius 1 cm) grown on CdTe substrate by LPE is photoengraved into many small Van Der Pauw squares,then their Hall coef... For Hall measurement under different magnetic fields at LN2 temperature,Hg1-xCdxTe (MCT) film (radius 1 cm) grown on CdTe substrate by LPE is photoengraved into many small Van Der Pauw squares,then their Hall coefficients and mobilities are measured and analyzed,respectively.Two films were Hall-tested during the temperature range from LHe 4.2 K to about 200 K.An actual impression on the uniformity of electrical parameters for MCT film can obtained by means of the methods presented in this paper. 展开更多
关键词 MCT film Hall measurement Electrical parameter UNIFORMITY
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