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TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制 被引量：2
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作者 孙大亮 于锡玲 +1 位作者 王燕 顾庆天 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期1873-1877,共5页
选取了TGS晶体的 (0 0 1) ,(110 ) ,(0 10 )和 (10 0 )四个面为研究对象 ,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制 ,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比 ,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用 ;同时 ,在... 选取了TGS晶体的 (0 0 1) ,(110 ) ,(0 10 )和 (10 0 )四个面为研究对象 ,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制 ,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比 ,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用 ;同时 ,在较高的相对过饱和度下 ,观察到了TGS自然结晶体的两种简单晶形 . 展开更多
关键词 TGS晶体 生长多形性 表面扩散 晶体生长
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