晶体生长安瓿封装装置研制

针对传统晶体生长安瓿封装技术存在传热不均和封装位置不易控制的问题,提出了一种基于氢气流量和加热位置控制的晶体生长安瓿封装装置,开展了氢气流量与燃烧热计算。实验结果表明:晶体生长安瓿封装装置加热控制稳定性和加热位置控制精度好,可在30秒内完成1个晶体生长安瓿封口封装,封装出的晶体生长安瓿一致性好,该晶体生长安瓿封装设备已广泛应用于红外探测器领域。

AgGaS_2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究

研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响,发现在气体流量为30～40ml/min,镀碳温度为1040～1060℃,镀碳时间为30～40min,冷却时间为10～12h的条件下,可获得均匀、致密且结合牢固的碳膜层。用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS2晶体表面光洁,完整性好,缺陷较少。