原子力显微镜下稀土元素对镍基刷镀层生长形貌影响的研究

利用原子力显微镜对镍基Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ及Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ／ＭｏＳ_２刷镀层生长形貌进行了研究。通过对各镀层生长初期形貌和生长后期形貌观察及形貌参数对，比结果发现：刷镀液中稀土元素的存在可以增加金属沉积时形核数目使核向各方向长大速度接近；稀土改善了镀液微观深镀能力和整平能力。稀土可以消除或减少在扫描电镜下不被发觉的Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ／ＭｏＳ_２镀层表面的微裂纹。

6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌

利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的 6H SiC单晶 (0 0 0 1)Si 面的生长形貌 ,应用台阶仪测定了生长台阶高度。实验发现 ,6H SiC单晶的生长台阶呈螺旋状 ,生长台阶呈现出了韵律束合现象。在单晶中间部分 ,生长台阶稀疏 ,台面较宽 ,约 80 μm左右 ,台阶高度较小 ,约 2 0～ 5 0nm ,比较宽的台面上存在小生长螺旋。外围单晶区域 ,生长台阶比较密集 ,其台阶高度较大 ,约 30 0～ 70 0nm ,台面宽度较小 ,约 2～ 5 μm。生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响 。

C_(60)膜上金刚石的成核与生长形貌研究

本文研究了HFCVD系统中覆盖有C60 膜的Si(10 0 )衬底上金刚石的成核与形貌特征。结果表明 ,C60 能大幅度提高金刚石成核密度 ;C60 氢化预处理能大幅度促进金刚石成核 ,但要合理控制CH4 的浓度和预处理时间 ;随衬底温度的升高 。

Gd磁控溅射不锈钢薄膜生长形貌及附着性能研究

为探讨磁致冷材料Gd表面溅射保护膜后的附着性能,利用直流磁控溅射技术在Gd基体上镀不锈钢(1Cr18Ni9Ti)薄膜。采用扫描电镜(SEM)?能谱仪?扫描探针显微镜对薄膜进行了表征,并用引拉法测定了薄膜的附着强度。结果表明,不锈钢薄膜溅射初期呈岛状分布;溅射一定时间后薄膜呈层状生长,表面质量好,膜/基界面结合好,附着强度高,在功率密度为966W/cm2、溅射时间为8min时附着强度达到最大值24.7MPa。

工艺因素对灰铸铁中γ枝晶生长形貌的影响

试验研究了灰铸铁中γ枝晶的生长形貌及工艺因素的影响作用。发现γ枝晶按其生长形貌特征可分为外生柱状枝晶、发达等轴枝晶和短粗的不发达的内生等轴枝晶三种基本类型。浇注温度对枝晶生长形貌影响较为显著，高温浇注易获得外生柱状枝晶；接近初晶凝固温度浇注易获得内生等轴枝晶，１３００℃左右浇注易获得发达等轴枝晶，且其相应的抗拉强度最高．铸型条件主要影响枝晶数量、晶臂间距和次生晶臂长度。铁水用硅基孕育剂进行孕育处理，对γ枝晶的生长形貌影响不大。

Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3弛豫铁电晶体的生长形貌和生长机理

以PbO作助熔剂采用高温溶液法生长出Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,利用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体相结构和生长形貌。研究结果表明,采用高温溶液法生长出纯钙钛矿相结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,晶体多为淡黄色,较小的呈赝立方形态,较大晶体逐渐趋于不规则形态,最大尺寸达4mm×4mm×3mm。晶体中存在位错蚀坑和PbO包裹等生长缺陷,生长过程中的温度波动和成分起伏等因素导致这些缺陷的出现。晶体{100}面生长速率最慢能成为热力学上稳定存在的自然显露晶面,晶体的生长机制为二维成核层状生长。

Al靶喷涂对（Ti，Al）N／AlN多层涂层的组织和生长形貌的影响

通过直流脉冲磁电管将来自于两个靶的多层TiAIN和AIN涂层沉积在高速钢（HSS）和硬质金属（HM）基体上。TiAl靶的能量是保持衡定的。而灿靶的能量是变化的。用扫描电镜和X-射线衍射技术对组织的形态学进行研究。灿靶的能量对涂层组织和形态会产生一定的影响。在较低的Al靶能量下生成的涂层具有B1型立方结构。随着能量的增加，六方晶体结构就会逐渐清晰。

合金成分和冷却速率对Al-Cu合金凝固过程中初生Al_2Cu相生长形貌的影响

对Al-x Cu(x=30,40,45,50,质量分数,%)合金凝固组织进行了系统的观察.结果表明,随合金中Cu含量由30%(质量分数,下同)增加到50%,合金中初生Al_2Cu相形貌由枝晶状逐渐转变为棱面状,表明Al_2Cu相的生长方式由非小平面生长转变为小平面生长.冷却速率对初生Al_2Cu相生长形貌具有重要影响,冷却速率较低时,初生Al_2Cu相为规则的棱面状;随着冷却速率增大,初生Al_2Cu相逐渐转变为不规则的非棱面状,表明Al_2Cu相的生长方式由小平面生长转变为非小平面生长.对凝固过程中初生Al_2Cu相形貌转变研究发现,Cu含量为45%时,初生Al_2Cu相形貌由枝晶状向方形转变;Cu含量增加到50%时,初生Al_2Cu相形貌由枝晶状转变为网状.

C_(70)单晶的生长形貌和结构表征

用气相控制成核密度法 ,生长出了尺寸可达 5mm的C70 单晶 .X射线衍射分析及电子衍射分析结果表明C70 单晶在室温下为六方密堆积结构 (hcp)相与少量面心立方结构 (fcc)相共存 .用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C70 单晶的生长形貌 ,分析了形成机制 ,探讨了生长条件对C70

铬钼钢蠕变过程中M23C6及M6C的生长形貌

利用Ｈ－８００透射电子显微镜，对铬钼钢５６５℃蠕变过程中出现的Ｍ２３Ｃ６及Ｍ６Ｃ碳化物的形貌变化进行了详细的研究，研究结果表明，蠕变过程中Ｍ２３Ｃ６及Ｍ６Ｃ碳化物主要以片状，棒状及块状形态存在；其中片状和棒状存在于晶内，块状在晶内和晶界都存在，从基体中析出Ｍ２３Ｃ６及Ｍ６Ｃ起始呈片状，随蠕变时间的延长期形貌变化为棒状，不规则棒状，块状；而分别由Ｆｅ３Ｃ和Ｍ２３Ｃ６原位转变形成的Ｍ２３Ｃ６和Ｍ６Ｃ，

助溶剂法生长Bi_4Ti_3O_(12)单晶的形貌和缺陷研究

采用助溶剂缓慢降温自发成核法生长钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT)单晶,晶体呈淡黄色,尺寸达到40mm×20mm×0.4mm。BIT单晶(001)面生长速度最慢,其(001)面成为热力学上稳定存在的自然显露晶面。在光学显微镜下观察到BIT晶体中出现的两种缺陷:包裹体和枝晶,对其形成的机制进行分析并提出了减少和消除缺陷的相应措施。用光学显微镜对BIT单晶的90°电畴结构进行了较好的观察和分析。

ZnIn_2S_4的制备及其表面活性剂辅助的形貌控制生长

采用湿化学合成路线以巯基乙酸为包覆剂,水为溶剂制备了六方相ZnIn2S4。应用能谱分析(EDS)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光谱对产物的组成、结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,所得到的ZnIn2S4具有层状形貌。这些层状物是由ZnIn2S4纳米粒子前驱体在热处理过程中聚集生长而成的。另外,以ZnIn2S4纳米粒子前驱体为起始原料,借助表面活性剂的导向作用在固/液界面成功地实现了ZnIn2S4的形貌控制生长,得到了具有棒状、棒簇状、管簇状形貌的ZnIn2S4。根据实验结果,初步讨论了可能的表面活性剂辅助的ZnIn2S4形貌控制生长的机制。

结晶生长的化学键合理论

针对一般晶体的生长过程,在测定相应溶液(熔体)组成结构的基础上,我们引入了晶体生长过渡相区的概念,并采用键价模型来衡量生长过程中发生变化的化学键的键强度。过饱和溶液(熔体)中的生长单元经过生长过渡相区时,依据彼此之间弱的化学键合作用来微调其内部强的化学键,并以单个生长单元或者生长单元的简单连接体的形式键合进入晶格。在整个结晶生长过程中,生长单元之间弱的键合作用对整个结晶过程(生长速度、晶相的形成)起着决定性作用;同时,中等强度的化学键在生长过渡相区中的变化情况对晶体的最终形貌具有重要影响。

SiO_2表面覆盖剂对铝合金熔体直接氧化生长的影响

以Lanxide材料的成形工艺控制为目标 ,研究了SiO2 表面覆盖剂在铝合金熔体直接氧化生长过程中的作用。结果表明有效促进Al2 O3/Al复合材料生长的SiO2 加入量为 1～ 6 g/dm2 。SiO2 能够显著促使材料近平面生长 ,形成细化胞状晶团和提高组织均匀度 ;在覆盖SiO2 的条件下 ,温度升高 ,生长速度加快的同时 ,材料宏观生长表面趋于平整 。

梯度凝固法晶体生长应用磁场的研究进展

在梯度凝固法晶体生长中应用磁场可以有效提高溶质分布的均匀性,改善生长界面的形貌。主要综述了在VGF法或VB法晶体生长中应用磁场的研究进展,包括行波磁场、旋转磁场和交变磁场的产生原理,以及三种磁场在熔体中形成的对流模式和对晶体生长的影响。提出了三种磁场各自的优势和在实际晶体生产上的应用前景。

超薄膜生长中各向异性现象的模拟研究

利用扫描隧道显微技术（ＳＴＭ），人们已观察到许多不同生长控制条件下超薄膜生长初期的形貌（分形生长、枝晶状生长和团状生长等）［１］。这些生长形态的形成，是由于生长表面的各向异性、不同温度下增原子在表面的迁移率和增原子沿团簇周界的迁移率等因素共同作用的结...

行波磁场在晶体生长过程中的研究进展

针对行波磁场的应用评述了其近几年理论和实验的研究进展,包括行波磁场原理、行波磁场发生器的设计、行波磁场在晶体生长过程中的效应。论述了在晶体生长过程中行波磁场引起的子午线流对导电熔体的稳定性、生长界面形貌和溶质分布的影响,指出了该领域当前研究存在的问题并展望了其发展趋势。

氮对MPCVD单晶金刚石生长与含量研究进展

微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术被认为是制备高纯单晶金刚石的首选方法。然而因为氮原子的半径与碳的原子半径相近,容易成为单晶金刚石生长层中的主要杂质,是阻碍MPCVD单晶金刚石推广应用的原因之一。经过国内外研究团队的对氮与MPCVD单晶金刚石的生长与氮杂质含量控制研究取得了一些结果。但是除此之外还需要解决氮掺杂提速与控制单晶金刚石生长层中氮杂质含量的控制统一问题,才能实现MPCVD单晶金刚石的高端领域应用。