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Si衬底上SrMnO_3缓冲层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜择优取向生长的影响
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作者 杜永胜 王波 +4 位作者 许仕龙 于敦波 李彤 严辉 张深根 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期963-966,共4页
利用磁控溅射方法在 (1 0 0 )Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层 ,再沉积得到了 (1 1 0 )择优取向生长的La0 .8Sr0 .2 MnO3(LSMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明 :当沉积... 利用磁控溅射方法在 (1 0 0 )Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层 ,再沉积得到了 (1 1 0 )择优取向生长的La0 .8Sr0 .2 MnO3(LSMO)薄膜。利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响。结果表明 :当沉积温度为 60 0℃时 ,增加缓冲层SMO的厚度 ,LSMO薄膜的取向性变好 ;当缓冲层SMO厚度为 45nm时 ,LSMO薄膜基本具有 (1 1 0 )取向生长的特征。进一步的工作证实 :提高沉积温度 ,能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小 ,并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度 ;当沉积温度为 80 0℃时 ,由于类退火作用的存在 ,厚度为 1 0nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长。 展开更多
关键词 LSMO薄膜 SMO缓冲层 择优取向生长
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直流电沉积钴纳米线的生长取向控制
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作者 乔晓光 《河北北方学院学报(自然科学版)》 2008年第4期22-27,共6页
目的通过调节沉积电流密度动态地控制钴纳米线择优生长方向,以制备磁性能良好的一维钴纳米线.方法利用制备出的带有高度有序性纳米孔的氧化铝模板,通过直流恒电流电化学沉积方法,调节沉积电流密度的大小,制备出一系列钴纳米线阵列,并利... 目的通过调节沉积电流密度动态地控制钴纳米线择优生长方向,以制备磁性能良好的一维钴纳米线.方法利用制备出的带有高度有序性纳米孔的氧化铝模板,通过直流恒电流电化学沉积方法,调节沉积电流密度的大小,制备出一系列钴纳米线阵列,并利用XRD衍射仪和VSM振动磁强计测量其磁性能,包括矫顽力、剩磁比和各向异性的特点.结果制备出了包括[101]择优取向、[100]择优取向及非晶态等结构的一维Co纳米线阵列,重点分析了具有[101]择优取向纳米线阵列的特点.结论总结出了钴纳米线对于[101]晶向的易磁化规律. 展开更多
关键词 氧化铝模板 沉积电流密度 生长择优取向 形状各向异性 磁晶各向异性
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铝掺杂对ZnO:Al薄膜结晶性能与微观组织的影响 被引量:1
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作者 陈建林 陈鼎 +1 位作者 张世英 陈振华 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1284-1288,共5页
以二水合醋酸锌为原材料,采用溶胶-凝胶浸涂法在钠钙玻璃基片上制备了具有c轴择优取向的ZnO:Al薄膜,考察了铝掺杂浓度对薄膜结晶性与微观组织结构的影响。结果表明:铝掺杂使ZnO薄膜(002)晶面的2θ向高角度方向偏移,c轴择优取向性增强,... 以二水合醋酸锌为原材料,采用溶胶-凝胶浸涂法在钠钙玻璃基片上制备了具有c轴择优取向的ZnO:Al薄膜,考察了铝掺杂浓度对薄膜结晶性与微观组织结构的影响。结果表明:铝掺杂使ZnO薄膜(002)晶面的2θ向高角度方向偏移,c轴择优取向性增强,晶粒变小(15~20nm)。当铝掺杂浓度(摩尔分数)为1%~2%时,微观组织结构变得致密均匀;当铝掺杂浓度大于2%时,发生颗粒团聚现象;在高掺杂浓度下(5%和8%),出现大尺寸片状ZnO:Al晶粒异常长大,生长出特殊形貌的薄膜。 展开更多
关键词 ZNO:AL薄膜 铝掺杂 溶胶-凝胶法 择优取向生长
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O_2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO_2薄膜的影响 被引量:1
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作者 刘文婷 刘正堂 《真空》 CAS 北大核心 2011年第3期62-66,共5页
采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响。结果表明,随着O2/Ar气... 采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响。结果表明,随着O2/Ar气体流量比从0增加到0.50,薄膜的沉积速率逐渐下降。O2/Ar气体流量比为0时制备的薄膜沿[001]方向择优取向生长,具有较高的结晶程度,较大的晶粒尺寸和柱状晶形貌。O2/Ar气体流量比不为0时制备的薄膜没有出现择优生长,结晶程度较低,晶粒尺寸较小,具有球形颗粒状形貌。随着O2/Ar气体流量比从0.25增加到0.50,薄膜的晶粒尺寸有所增大,形貌变化不大。最后探讨了O2/Ar气体流量比为0时制备HfO2薄膜择优取向生长的机理。 展开更多
关键词 HFO2薄膜 O2/Ar气体流量比 择优取向生长
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Si衬底上La0.8Sr0.2MnO3/SrMnO3双层结构研究
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作者 杜永胜 王波 +4 位作者 许仕龙 于敦波 李彤 严辉 张深根 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期620-622,629,共4页
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散... 利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明:以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显. 展开更多
关键词 LSMO薄膜 SMO缓冲层 择优取向生长 界面扩散
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热蒸发制备的硫化锌薄膜的结构分析 被引量:1
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作者 柳兆洪 陈谋智 +2 位作者 林爱清 刘瑞堂 刘向鑫 《半导体情报》 1998年第1期45-47,共3页
用双舟热蒸发制备了掺稀土硫化锌薄膜,用x射线衍射技术对硫化锌粉末和所制薄膜的晶体相结构进行研究,发现硫化锌薄膜的晶体结构与硫化锌粉末的晶体结构不同。薄膜晶体的生长受诸多因素影响,有择优取向生长趋势,是二维层状结构沿c... 用双舟热蒸发制备了掺稀土硫化锌薄膜,用x射线衍射技术对硫化锌粉末和所制薄膜的晶体相结构进行研究,发现硫化锌薄膜的晶体结构与硫化锌粉末的晶体结构不同。薄膜晶体的生长受诸多因素影响,有择优取向生长趋势,是二维层状结构沿c轴方向的密堆积。这些研究为高新材料的研制提供了参考。 展开更多
关键词 薄膜晶体 相结构 择优取向生长 硫化锌
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尼龙6固相缩聚及结构性能研究 被引量:1
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作者 刘培 曲希明 +1 位作者 姜锋 张志英 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第10期136-138,共3页
对萃取后的尼龙6切片进行了固相缩聚以提高其相对黏度(η_r),研究了不同反应时间和温度对增黏效果的影响。采用乌式黏度计、端基滴定法、热重分析法(TGA)、X射线衍射法(XRD)和毛细管流变仪对样品进行了测试。实验结果表明,尼龙6切片的... 对萃取后的尼龙6切片进行了固相缩聚以提高其相对黏度(η_r),研究了不同反应时间和温度对增黏效果的影响。采用乌式黏度计、端基滴定法、热重分析法(TGA)、X射线衍射法(XRD)和毛细管流变仪对样品进行了测试。实验结果表明,尼龙6切片的热稳定性基本不变,切片所含晶型只有α单斜晶系,并未出现晶型的转变,出现了晶面的择优取向生长现象。在反应温度为190℃,反应时间为12h时,固相缩聚后的尼龙6切片相对黏度达到3.2,初始分解温度为412.3℃,最大分解温度为469.5℃,性能得到提高。 展开更多
关键词 固相聚合 相对黏度 端基分布 择优取向生长 流变性能
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MFI型沸石形貌研究 被引量:9
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作者 史静 赵国良 +3 位作者 滕加伟 王仰东 唐颐 谢在库 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第4期545-552,共8页
MFI沸石晶形及其形态的调控一直都是分子筛研究的重要方面。本文主要综述了单晶分子筛、纳米分子筛、核壳结构分子筛以及特殊取向分子筛(包括择优取向MFI沸石膜及具有择优取向自行生长的MFI沸石)形貌控制方法。其中,对模板剂、表面活性... MFI沸石晶形及其形态的调控一直都是分子筛研究的重要方面。本文主要综述了单晶分子筛、纳米分子筛、核壳结构分子筛以及特殊取向分子筛(包括择优取向MFI沸石膜及具有择优取向自行生长的MFI沸石)形貌控制方法。其中,对模板剂、表面活性剂、合成体系组成及合成方法对MFI型沸石形貌的影响进行了详细综述,同时对MFI沸石形貌研究的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 MFI分子筛 形貌控制 择优取向生长
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