生长条件参数对碳纳米管阵列定向性的影响

采用化学气相沉积法(CVD)制备出了结构可控的碳纳米管阵列,并对其定向性进行了系统研究。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品的形貌和结构进行了表征。结果发现碳纳米管阵列的石墨化程度及定向性受催化剂浓度、生长基底位置、载气流速因素影响。结果表明,过低或过高的催化剂浓度以及载气流速都会使得碳纳米管阵列的定向性变差。而生长位置离基底中心越近,碳纳米管阵列的定向性越好。

用凝胶法生长KC1O_4晶体

凝胶法是生长KC lO4晶体最合适的方法.实验研究了反应物浓度、凝胶密度、温度、凝胶pH值对KC lO4晶体成核数目、大小、形状及质量的影响,得出了生长较大尺寸、完整性好、高质量的KC lO4晶体的最佳条件和参数.第一次对KC lO4晶体形态、各晶面的显露程度进行定量分析,实验与理论分析相符合.证实了Hartman和Perdok的PBC理论.研究结果为下一步进行晶体生长机理研究打下了基础.