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RDX单晶的生长诱导位错表征 被引量:1
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作者 周小清 李洪珍 +2 位作者 徐容 王述存 黄明 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期301-305,共5页
采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40 mm×40 mm×30 mm)。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,用Split PearsonⅦ分析函数并对摇摆... 采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40 mm×40 mm×30 mm)。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,用Split PearsonⅦ分析函数并对摇摆曲线进行了拟合,得到(210)、(200)和(111)晶面的摇摆曲线半高宽(FWHM),其值分别为35.35 arcsec,45.31 arcsec和77.92 arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快;(210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢,RDX单晶呈现出各向异性。 展开更多
关键词 有机化学 RDX大单晶 摇摆曲线 生长诱导位错
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