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题名RDX单晶的生长诱导位错表征
被引量:1
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作者
周小清
李洪珍
徐容
王述存
黄明
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机构
中国工程物理研究院化工材料研究所
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出处
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期301-305,共5页
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基金
国家自然科学基金面上项目(No.11072225)
中国工程物理研究院面上基金(No:2010B0302040
2011B0201032)
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文摘
采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40 mm×40 mm×30 mm)。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,用Split PearsonⅦ分析函数并对摇摆曲线进行了拟合,得到(210)、(200)和(111)晶面的摇摆曲线半高宽(FWHM),其值分别为35.35 arcsec,45.31 arcsec和77.92 arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快;(210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢,RDX单晶呈现出各向异性。
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关键词
有机化学
RDX大单晶
摇摆曲线
生长诱导位错
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Keywords
organic chemistry
RDX bulk single crystal
rocking curve
growth-induced dislocation
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分类号
TQ560.1
[化学工程—炸药化工]
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