浅谈电子特气甲硅烷的国产化与行业展望

电子特气甲硅烷是一种重要的电子级有机硅材料,具有优异的绝缘、抗氧化、耐热、耐辐射等特性,受到了电子工业的广泛青睐.然而,目前国内电子特气甲硅烷的生产主要依赖于进口,国产化进程相对滞后.因此,主要探讨了电子特气甲硅烷的生产现状、进展和面临的挑战,并分析电子特气甲硅烷在未来的应用和发展趋势,旨在推动我国电子特气甲硅烷行业发展新进程.

季铵碱树脂催化三甲氧基硅烷制备甲硅烷

为制备高纯度甲硅烷气体,用强碱性季铵碱阴离子交换树脂催化三甲氧基硅烷溶液进行歧化反应.采用脉冲放电氦离子化检测器测试粗甲硅烷气体,用气相色谱-质谱联用仪、感应耦合等离子体质谱仪测试精馏提纯的副产物四甲氧基硅烷.实验结果表明:在30～50℃和0.2～0.3 MPa条件下反应制备的粗甲硅烷气体中,H2、O2、Ar、N2、CH4的质量浓度分别为221.12、1.76、1.61、17.97、0.15μg/L,纯度达到99.9%;副产物四甲氧基硅烷中,金属杂质总质量浓度低于0.15μg/L,可用来制备高纯度硅溶胶;季铵碱催化三甲氧基硅烷歧化反应,反应条件温和,三甲氧基硅烷转化率96%,硅烷产率95%.催化剂易于购买,采用固定床反应器易于控制反应,易于连续加料,此工艺具有工业化生产价值.

三苯基甲硅烷的精制工艺研究

采用无水乙醇为溶剂,利用重结晶对三苯基甲硅烷粗品进行精制,确定了重结晶的最佳工艺条件:无水乙醇与三苯基甲硅烷粗品质量比为3∶1,在-10℃下快速冷却结晶,结晶时间为9 h,为使纯度达95%以上进行2次重结晶。此条件下,制得的三苯基甲硅烷晶体纯度为95.56%,回收率为91.52%。

甲硅烷的分解复合的对称性

本文基于原子分子反应静力学证明甲硅烷SiH4的分解方式Ⅱ是对称性允许的,而分解方Ⅰ是对称性不许可的.

甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究

本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.

甲硅烷分子的振动模式分析和拉曼光谱计算

利用甲硅烷分子的对称性,对其振动模式、拉曼活性和拉曼光谱频率进行了分析和计算。然后,利用基于密度泛函理论的Demol3程序包对甲硅烷分子进行了模拟计算,获得甲硅烷分子的几何结构、前线轨道的电子云分布和振动频率,并与前面群论方法分析得到的结果进行了比较。

α-氰基-α-二茂铁基乙氧三甲硅烷的合成与晶体结构(英文)

乙酰基二茂铁与三甲基氰硅烷在CH2Cl2中ZnI2催化下加成,得到产率较高的α-氰基-α-二茂铁基乙氧三甲硅烷,用元素分析、IR和1HNMR进行了表征。经X射线单晶衍射法测试表明,该化合物属正交晶系,Pbca空间群,晶胞内分子数为8,化合物分子式为C16H21FeNOSi,Mr =327.28,a=1.1995(4)nm,b=1.2441(4)nm,c=2.2183(7)nm,β=90°,V=3.3103(18)nm3,Dcalc.=1.313g.cm-3,Z=8,最终偏离因子R=0.0456,ωR=0.0880。分析其结构表明,该化合物含有一个二茂铁基和氰基乙氧三甲基硅烷基,与二茂铁基相连的碳原子是手性原子,分子中存在超共轭效应。

双(三苯基甲硅烷)铬酸酯催化剂及其配制过程中表面化学反应的研究

本文采用红外光谱分析等方法,研究了双(三苯基甲硅烷)铬酸酯的加热、光照和水解反应的一些性质;探讨了双(三苯基甲硅烷)铬酸酯催化剂配制过程的化学变化。当其沉淀在硅胶上时,与硅胶表面羟基反应,生成表面有机铬化合物,铬的价态不变。加入烷基铝后,表面铬化合物还原生成含有Cr—C或Cr—O键的低价表面化合物,其对乙烯聚合具有催化活性。并指出了本催化剂活性组份可能的负载机理。

含丙烯酸甲硅烷酯共聚物基自抛光防污涂料的研制

目的制备高性能的含丙烯酸甲硅烷酯共聚物基防污涂料。方法合成了丙烯酸甲硅烷酯共聚物,制备了以功能性丙烯酸甲硅烷酯共聚物为基料,以氧化亚铜为主防污剂的自抛光防污涂料。通过红外光谱(FTIR)、凝胶渗透色谱(GPC)和差示扫描量热仪(DSC)对聚合物进行分析,并通过室内动态磨蚀率实验、深海挂板实验、耐淡水浸泡实验、物理性机械性能测试和减阻性能测试,分别评价防污涂料的磨蚀率、静态防污性能、耐淡水性能、物理机械性能和减阻性能。结果筛选出的优异配方防污涂料的磨蚀率为5μm/month,具有26个月的防污性能、2个月的耐淡水浸泡性能及优异的物理机械性能,且降阻率可达到4%。结论制备的丙烯酸甲硅烷酯共聚物基自抛光防污涂料,具有良好的防污性能、物理机械性能、耐淡水浸泡性能,且能够有效地降低船舶航行阻力,是一种高性能的自抛光防污涂料。

甲硅烷的防灾措施

四、爆炸性及着火性甲硅烷在室温下可自燃着火,在空气和氯中爆炸燃烧,爆炸下限为0.8％,上限为98％,但引证不明;在干燥空气中的下限为1.35％;在甲硅烷—氧—氮系中使0_2/N_2之比小于空气组成,那么,下限也变小,据报道,最低时为0.6％。

由甲硅烷气体生产多晶硅的低成本新工艺实现工业化

SolarSilicon开发的由甲硅烷气体生产多晶硅的新技术，经过2005年以来的中试考察，即将应用于生产。该公司将采用这种低成本新工艺在德国Rheinfeld建设一套850t／a多晶硅装置，2008年竣工后，以甲硅烷气体为原料生产多晶硅。这种多晶硅是太阳能电池硅晶片的原料，目前市场极度缺货。为此，Degussa公司也将在该厂新建一套三氯硅烷／甲硅烷气体生产装置。

大阪大学甲硅烷气体爆炸事故的调查

1 前言 1991年10月2日16点,大阪大学基础工程系在使用等离子气化学汽相淀积装置实验时发生了爆炸,死亡学生2人,轻伤5人。由于该事故发生在学校,死亡者是学生,所以,有关人员受到了很大冲击。通商产业省对此非常重视。

甲硅烷的纯化方法

本发明是有关甲硅烷的纯化，可用于制取高纯度的硅，尤其适用于制取半导体器件，如各种晶体管、光电管的电路及其它电磁与光控系统。

赢创投巨资在日本建甲硅烷项目

近日，赢创工业集团与合作伙伴日本TNSC公司共同为其将在日本四日市投资建造的生产基地举行了奠基仪式。该项目着眼于极具发展潜力的太阳能利用领域，项目主体为一座总投资达1．5亿欧元的甲硅烷及气相法二氧化硅产品的一体化生产基地。

甲硅烷与甲锗烷的定量质谱分析

定量质谱分析的主要任务是确定主要物质与杂质的质谱特性线强度之间的关系。为此，通常使用两种方法:(1)比较法；（2）灵敏度法。这两种方法及其计算，在文献中都有说明。不论哪种方法，都能确定质谱仪对该杂质的灵敏度系数。本文使用的是比较法。

甲硅烷的爆炸界限

甲硅烷是用于半导体元件生产的气体。在日本，它的消耗量随半导体工业的发展而急剧增加，主要用于硅的外延工艺、氧化膜及氮化膜的制造工艺等。另外，它还可用于太阳能电池的非晶硅的制造和复印机感光鼓的制造，预计将来的消耗量会更大。从前，甲硅烷几乎不用在工业上，所以，目前，与甲硅烷危险性有关的数据很少。

三氯硅烷和甲硅烷在多晶硅生产中的应用

近年来,随着电子材料不断被开发,仪器仪表制作技术也不断精密化了。其中,硅材料作为基盘材料年年在增加,并对硅材料提出了高纯度和低成本的要求。多晶硅是由硅石制取单晶硅的中间产品,是制作太阳能电池的原料。半导体用材料的纯度,近年来提出了高纯度的要求。例如,对硼、磷含量提出了不得高于0.1ppb的要求。对太阳能电池来说,更重要的是降低能耗。本文将概述用硅石制取单晶硅的工艺过程,以及制取多晶硅的西门子法和小松法。

分光光度法测定双(三苯基甲硅烷)铬酸酯

双(三苯基甲硅烷)铬酸酯,是乙烯低压气相聚合的高效催化剂,本文采用紫外分光光度法对双(三苯基甲硅烷)铬酸酯的含量进行了测定.

赢创工业集团在日本投建甲硅烷产品基地

尽管全球经济低迷，赢创工业集团（Evonik）仍在日前宣布将针对太阳能及电子领域进行一项重大投资。赢创将与日本大阳日酸株式会社（Taiyo Nippon Sanso Corporation）合作，投资1．25亿欧元（约200亿日元），在距东京以南约400公里左右的四日市建造一座生产甲硅烷及AEROSIL＆reg产品的一体化生产基地。