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激光辐照引起Ge_2Sb_2Te_5非晶态薄膜的电/光性质变化
被引量:
1
1
作者
孙华军
侯立松
+1 位作者
吴谊群
魏劲松
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1111-1114,共4页
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(10^7~10^3Ω/□)的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶...
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(10^7~10^3Ω/□)的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数,在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有:n(非晶态)〉n(中间态)〉n(晶态),k(晶态)〉k(中间态)〉k(非晶态),α(晶态)〉α(中间态)〉α(非晶态),结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
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关键词
GE2SB2TE5薄膜
激
光
辐照
电/光性质
光
学常数
相转变
下载PDF
职称材料
沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响(英文)
被引量:
1
2
作者
孙华军
侯立松
+1 位作者
缪向水
吴谊群
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期377-381,共5页
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率...
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系。结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge2Sb2Te5,在300℃时出现少量的六方相;低于140℃时易形成非Ge2Sb2Te5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因。
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关键词
GE2SB2TE5薄膜
沉积温度
结构
电/光性质
下载PDF
职称材料
题名
激光辐照引起Ge_2Sb_2Te_5非晶态薄膜的电/光性质变化
被引量:
1
1
作者
孙华军
侯立松
吴谊群
魏劲松
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1111-1114,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划(2007CB935402)
国家自然科学基金(50502036
60644002)
文摘
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(10^7~10^3Ω/□)的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数,在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有:n(非晶态)〉n(中间态)〉n(晶态),k(晶态)〉k(中间态)〉k(非晶态),α(晶态)〉α(中间态)〉α(非晶态),结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
关键词
GE2SB2TE5薄膜
激
光
辐照
电/光性质
光
学常数
相转变
Keywords
Ge2Sb2Te5 film
laser-irradiation
electrical/optical properties
optical constants
phase change
分类号
O471 [理学—半导体物理]
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响(英文)
被引量:
1
2
作者
孙华军
侯立松
缪向水
吴谊群
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所
华中科技大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期377-381,共5页
基金
National Basic Research Program of China (2007CB935402)
Supported by the National Natural Science Foundation of China (50502036, 60644002)
文摘
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系。结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge2Sb2Te5,在300℃时出现少量的六方相;低于140℃时易形成非Ge2Sb2Te5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因。
关键词
GE2SB2TE5薄膜
沉积温度
结构
电/光性质
Keywords
Ge2Sb2Te5 film
deposition temperature
structure
electrical/optical property
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光辐照引起Ge_2Sb_2Te_5非晶态薄膜的电/光性质变化
孙华军
侯立松
吴谊群
魏劲松
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
2
沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响(英文)
孙华军
侯立松
缪向水
吴谊群
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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