Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属 本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"不同于半导体物理中所指的"本征费米能级Ei".n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是"钉扎"于本征半导体基态费米能级ESF,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因.

金属-半导体接触势垒高度的理论计算

采用平均键能作为参考能级计算了十种金属 -半导体接触势垒高度 ,其计算结果与实验值的符合程度不亚于 Tersoff和 M o¨ nch所采用的电中性能级方法 ,计算结果表明平均键能方法和 Tersoff提出的电中性能级方法一样 ,可作为金属