恒电位电生还原剂与鲁米诺化学发光分析研究

自行设计的流通式碳电解池在线电解产生的钒（Ⅱ）、钼（Ⅲ）、铀（Ⅲ）、钨（Ⅲ）等还原剂，利用流动注射技术研究这些还原剂与鲁米诺的化学发光反应，考察此反应用于钒、钼、铀、钨等元素化学发光测定的可行性，并对其反应机理进行探讨。

Ru(bpy)_3^(2+)-C_2O_4^(2-)-PtE体系的两条电致化学发光通道

运用电位分辨电致化学发光 (PRECL)手段发现Ru(bpy) 2 + 3 C2 O2 -4 PtE体系在预氧化的多晶铂电极上存在两个发光通道 ,这两个通道分别位于 1.2 2V和 1.40V处 .对影响两发光通道的条件进行了研究 ,比较了几种经过不同预处理方式 (直接抛光、阳极极化和阴极极化的电极以及S吸附电极 )以及体系中不同C2 O2 -4 浓度 ,pH ,溶解氧和溶解二氧化碳对两PRECL峰形、峰强度的影响 .提出第二个ECL发光峰的机制为C2 O2 -4 直接电极氧化产物CO2 -·(或C2 O4 -·)的催化发光 .

鲁米诺体系的多通道电致化学发光

本文综述了鲁米诺体系在金属、非金属以及半导体电极上的电位分辨电致化学发光行为和机理 ,揭示了鲁米诺电致化学发光的多通道性及其对电极材料、电极电位和电极表面状态的依赖性。

事件相关电位成分失匹配负波和P300在神经精神系统疾病中的临床应用研究进展

事件相关电位(event-related potentials,ERPs)是一种特殊的脑诱发电位,反映了认知过程中大脑神经电生理的变化,具有很高的时间分辨率和稳定性。1964年,Walter WG等[1]发现了第一个认知ERP成分,并将其命名为“关联性负变”,标志着ERP研究新时代的正式开始。

阴极电致化学发光机理及其应用研究

电致化学发光是将电化学技术与化学发光结合起来的一种分析方法。该方法具有化学发光的高灵敏度和电化学的电位可控优点，已经成为分析化学领域一个研究热点。

用高分辨叠加检测冠心病室性心律失常QRS起始部电位异常改变

用自组的多段式心电高分辨叠加检查系统,检测30例正常人、80例冠心病患者、40例冠心病合并频发室早患者、20例冠心病合并室速患者,并对QRS波群及S-T段逐组分析。结果是4组观察对象的QRS间期、起始部振幅、起始部峰迹均有显著性差异,P<0.01。心室碎裂电位的出现在4组中差异显著,P<0.005;冠心病合并室早、室速的血液动力学比率与QRS起始部振幅呈中度负相关,r=-0.51;冠心病合并心梗患者的常规12导联ECGQ波数与SAECG的QRS起始部振幅无关,r=0.27;14例下壁心梗中8例起始部振幅减小,而20例下壁心梗中19例起始部振幅减小,P<0.01。

利用边界元法求解脑电正问题和高分辨脑电

利用边界元法求解脑电正问题和高分辨脑电,分析了边界元法计算带有高电阻率颅骨区域脑电正问题存在的缺陷,给出了解决该问题以及提高计算精度的方法。利用边界元所给出的场域边界和分界面上场量的约束关系,实现了一种由头皮电位推算皮层电位的高分辨脑电计算方法,通过多层球模型的仿真计算与实际解析解进行比较,验证了所提出的方法在一定条件下能够取得较高的计算准确度。

高分辨脑电图的技术途径

阐述了近年来发展的高分辨脑电图所实现的技术途径 .着重介绍了目前几种有代表性的从头皮电位测量值重建皮层电位分布的方法 :解析求解法、数值求解法 (包括有限元法和边界元法 )和皮层成像技术等 .系统地分析了这些方法的技术特点 。

线索化效应的返回抑制研究

针对返回抑制(IOR)脑电研究中线索和靶的交互影响,提出了利用低分辨率源定位算法对外源线索所诱发的源进行定位。结果显示相关神经活动可分为3个阶段:早阶段主要在前额叶皮层、顶内皮层和对侧枕颞皮层;中阶段在额叶皮层和顶部皮层;晚阶段在同侧顶枕部皮层。上述结果表明,IOR的产生与两个神经网络有关,并支持IOR与注意和动作反应抑制都相关。

双阴茎畸形阴茎再造术后感觉功能检测(附病例报告一例)

目的了解先天性双阴茎畸形行部分阴茎再造术20年后阴茎感觉功能恢复情况以及使用神经电生理方法评估再造阴茎术后感觉功能恢复的可行性。方法对再造阴茎的温度觉及两点辨别觉进行检测:及使用神经电生理的方法检测再造阴茎的体感诱发电位及阴茎背神经的感觉神经传导速度。结果再造阴茎温度觉及两点分辨觉均恢复良好。阴部诱发电位位于正常范围内,阴茎背神经传导速度小于平均水平。结论这种特殊类型的再造阴茎,经神经吻合后感觉功能基本恢复良好;使用神经电生理方法测定再造阴茎感觉功能恢复是可行的。

光学传感、传感器

TP212 2000064058CCD直接细分光栅位移传感器的研究=Study of displacementsensor using CCD to subdivide gratingdirectly[刊,中]/何树荣,尚宗扬(清华大学精密仪器系.北京(100084))//光学技术.—1999,(3).—1—3,7介绍一种采用CCD为测量元件的光栅位移传感器的设计方法。该方法利用CCD分辨率高。