电力半导体模块及其工艺技术

回顾了电力半导体模块发展里程 ,指出了电力半导体模块今后发展的方向 ,描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域。介绍了 IGBT模块的结构和工艺技术 ,提出了设计 IGBT模块各部件时应注意的问题和工艺技术特点。

电力半导体模块新趋势

简要叙述了电力半导体模块的发展过程,介绍了晶闸管智能模块的结构和特性,描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势,指出了我国大力发展IPEM的必要性。

电力半导体模块及其发展趋势 吴济钧

回顾了电力半导体模块发展里程,介绍了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域,阐述了 IGBT 模块的结构以及由智能模块(IPM)到用户专用功率模块(ASPM)和集成电力电子模块(IPEM)的发展过程,指出了电力半导体模块今后发展方向。

杭州汉安半导体有限公司

杭州汉安半导体有限公司是一家专业生产电力半导体器件的有限责任公司，开发生产销售电力半导体器件（大功率晶闸管及电力半导体模块）、电力电子装置。

混合封装电力电子集成模块内电磁干扰的屏蔽

混合封装有源电力电子集成模块(IPEM)是目前中功率范围内电力电子集成的主要方式。然而,IGBT与控制和驱动电路高密度地集成在一起,电磁干扰是非常重要的问题。研究发现,在IGBT开关瞬态,一个仅仅在直流母线和开关器件之间流动的高频环流是功率电路对控制和驱动电路产生电磁干扰的主要原因。为了抑制这个高频环流的影响,研究了在模块内施加平面电磁屏蔽层的作用和实际效果。结果证明,在模块内设计屏蔽层是改善模块内EMC,提高模块可靠性的有效和必要手段。

电力电子的发展动向

电子技术是现代科技发展的主力军,电力电子就是电力电子学又称功率电子学,是利用电子技术对电力机械或电力装置进行系统控制的一门技术性学科,主要研究电力的处理和变换,服务于电能的产生、输送、变换和控制。

IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作研究

IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板(Direct Bonded Copper简称DBC)是在高温(>1000℃)、流动(N_2+O_2)气氛下将厚度0.15mm～0.3mm的铜箔与厚度0.25mm或0.38mm的Al_2O_3陶瓷基片直接单面或双面键合而成的复合材料。它具有优良的热导性,高的电绝缘强度,超级的热循环稳定性,稳定的机械性能和优异的可焊性。它的热膨胀系数与硅很接近,因而可把硅芯片直接焊在DB C陶瓷覆铜板上,从而减掉了过渡层钼片。它可按功率单元电路的要求,像PCB板一样能蚀刻出各种图形作为硅芯片焊接衬底以及主电极和控制极的焊接支架。它载流能力大,其铜箔的电流密度约为铜导体的6～8倍左右。因此DBC陶瓷覆铜板已成为目前电力半导体模块制作的基础关键材料。文章还简要地介绍了淄博市临淄银河高技术开发有限公司在生产IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板过程中所采用的特殊专有工艺技术以及DBC陶瓷覆铜板的规格和主要技术参数。

IGBT模块的测试

详细介绍了IGBT模块测试参数的定义、分类,以及各项参数的测试原理、典型电路、测试条件选择和注意事项,对部分参数的特点进行了简单分析。最后,列举了市场上现有的部分IGBT模块的对比测试结果,简要分析了不同品牌IGBT模块的特性差异,尤其是栅极电阻、通态压降和开关损耗等方面的差异,为用好IGBT器件提供参考,并为进一步扩大IGBT器件的应用领域提供选型依据。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此A1N陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板)。若在A1N基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al_2O_3层后,就能借鉴Cu箔和Al_2O_3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。本文简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝（AlN）陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物，具有良好的化学稳定性，因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜（Cu）直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝（Al2O3）层后，就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法，高温氧化法，循环温差交替降温法，磁控溅射法等工艺技术，还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例.

常州西整电子科技有限公司

常州西整电子科技有限公司坐落于著名数学家华罗庚的家乡——金坛市，扬溧高速、宁常高速穿境而过。交通便捷。该公司是以开发、生产电力半导体元器件及各类焊设备的控制电路板为主题的企业，是集生产、科研为一体的高新技术企业，主要生产各种整流管、晶闸管桥臂模块、单相、三相模块，以及交流无触点开关模块、固态继电器等产品。公司生产的电力半导体模块已广泛用于交直流电机控制、电焊机、励磁电源、充电电源、静止无功补偿、无触点稳压器、变频调速、电动机歇起动，以及各种自动化工业装置。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝（AlN）陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物，具有良好的化学稳定性，因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜（Cu）直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝（A1203）层后，就能借鉴Cu箔和A1203基片高温键合工艺制作性能优良的AlNDBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AINDBC基板过程中采用的化学氧化法，高温氧化法，循环温差交替降温法，磁控溅射法等工艺技术，还简要介绍了本公司生产的AINDBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。